碳化硅功率半导体价格止跌趋稳 高压MOS与IGBT下半年或现上涨空间
国内碳化硅功率半导体市场定价逻辑近期出现阶段性变化。三安光电公司人士向《科创板日报》记者披露,当前该领域尚未观察到明确涨价迹象,整体价格表现处于“止跌趋稳”状态。
价格触底与结构分化
“止跌趋稳”字面指向价格下行通道结束,供需关系进入短期平衡阶段。该表述客观反映产业链在经历前期调整后,估值修复进程已正式开启。
三安光电方面表示,目前国内的碳化硅功率半导体暂时还没有看到涨价,只能说价格“止跌趋稳”。
机构研判与产品弹性
- 中科英智基金合伙人王洲指出,碳化硅板块今年已显现出反转趋势。
- 高压MOS与IGBT两类核心产品,在价格维度呈现出较大的上涨弹性。
- 综合产业反馈与机构测算,今年下半年相关产品仍可能延续上行空间。
高压MOS与IGBT作为电力电子转换的核心器件,其价格弹性的释放将直接重塑功率半导体供应链的定价体系与库存周转节奏。上述机构数据与产业反馈形成交叉验证,为下半年市场走势提供参考坐标。
