三星电子、SK 海力士、美光提前完成 2027 年 DRAM 与 HBM 分配谈判 产能全售罄
8 月 4 日,台媒《电子时报》报道三大存储半导体制造商于近日提前完成 2027 年一般 DRAM 与高带宽内存(HBM)分配谈判,三大原厂的产能已然火暴售罄。同时,供应相对宽松的 NAND 闪存产能配额协议预估将在本月内敲定。
大缺货过后下游厂商下单比拼 只为尽早抢得先机
此轮风潮源于 2026 年存储芯片短缺问题严重爆发,各大下游业者开始加大采购力度,积极寻求稳定货源。特别值得注意的是,这种原本主要集中在 HBM 领域的长单策略(long-term agreement,简称 LTA),已经扩展成为整个存储芯片市场的普遍现象。
不仅如此,当下游客户选择签约长期协议(LTA)时,都表现出极高的配合度。他们对三大原厂提出的预付定金策略也积极响应,以期获得更优惠的位置。
各家原厂总计仅能支援 6 十% 到 70% 下游企业所提要求
分析指出,尽管下游需求旺盛,但上游三大集团手上握有的执行产能仍非常有限。单单满足所有客户的订单需求,可能力有未逮,预估仅能匹配下游请求中的 60%~70% 左右。
仅能满足下游客户 60~70% 的需求
AI / HPC 领域享有供应配额红利 其他各项产业将遭严重饥渴
根据推测,鉴于供货目标的偏爱方向是服务 AI 与超级计算(HPC)这些高增值领域,像智能手机、个人电脑等大众消费级产业,将面临难以为继的供货困境,可能获得的 DRAM 份额将有减无增。導致 2027 年其升级换代潮再次延迟的脚步。
