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研微SiC EPI设备交付国内上市公司 面向多领域提供量产工艺支持

摸鱼不慌
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8月4日,研微(江苏)半导体科技有限公司宣布,其自主研发的碳化硅(SiC)外延生长设备(EPI)完成新一轮交付。此次交付的设备适配6/8英寸SiC晶圆,应用于新能源汽车功率器件、储能变流器及工业电源等核心领域。

设备技术参数与应用场景

本次交付的SiC EPI设备支持平面与沟槽类碳化硅外延量产工艺。其中,平面外延主要面向低阻基区制造,沟槽工艺适用于沟槽栅极器件。

"该设备已验证在多次量产迭代中的稳定性,能为客户缩短研发周期5-8个月。"提及上述负责人表示。

市场应用方向

车企如比亚迪、特斯拉使用的碳化硅功率模块厂商已确认将采用研微设备。此外,特变电工旗下新能源储能产品线、工业变频器制造商台达电子的产品均在该设备验证范围内。

  • 新能源汽车功率器件:用于逆变器、车载充电器等部件
  • 储能变流器:适配大型光伏储能系统
  • 工业电源:支持机载电源模块、电源适配器

业内人士指出,SiC材料特有的高频、高温耐受属性正推动电力电子领域从硅基向宽禁带半导体替代,此次SiC EPI设备的交付,为碳化硅功率器件规模量产提供关键装备保障。