三星推进1d DRAM量产准备 计划2025年第二季度引入关键设备

据韩媒6月17日报道，三星正在加速推进其10纳米级第七代1d DRAM的量产准备工作。目前，该公司已与多家供应商展开合作，共同开发用于生产新一代DRAM的相关设备，并计划最早于2025年第二季度正式引入这些设备。

1d DRAM技术迭代与生产部署

1d DRAM是三星在DRAM领域的最新制程节点，属于10纳米级工艺的第七代产品。与上一代产品相比，该制程通过更精细的电路线宽设计，旨在提升存储芯片的能效比与集成度。

三星的1d DRAM量产路线图显示，公司正按计划推进设备开发与产线验证工作。韩媒指出，三星在DRAM制程上的迭代节奏保持稳定，此次提前启动设备采购，反映出公司对下游数据中心、AI服务器等领域高阶内存需求的预判。

供应商合作与设备开发进度

据知情人士透露，三星目前正与韩国及海外多家半导体设备制造商联合攻关，重点解决1d DRAM生产中涉及的光刻、刻蚀及薄膜沉积等关键环节的技术难题。设备开发完成后，三星将在其平泽及华城工厂进行首批量产验证。

在设备引入的节奏上，三星计划在2025年第二季度完成首批生产设备的交付与安装，随后启动试生产。这一时间表较此前行业预期有所提前，表明三星试图在存储器市场复苏期间抢先占据产能优势。

行业背景与市场影响

从存储器行业整体来看，1d DRAM的量产推进是三星维持技术领先地位的关键举措。当前，主要DRAM供应商均在进行1b DRAM向1c、1d节点的过渡。三星这一动向将直接影响其与SK海力士、美光等竞争对手在下一代DRAM市场的份额争夺。

值得留意的是，三星1d DRAM的产业化进度也与其在AI计算、高性能计算等终端市场的出货策略相挂钩。若量产顺利，三星有望在2025年下半年开始向主要客户提供基于1d DRAM的HBM（高带宽内存）及DDR5产品，这将有助于其巩固在AI芯片内存供应链中的地位。

韩媒报道称：“三星正与多家供应商合作开发相关生产设备，计划最早于明年第二季度引入这些设备。”

三星1d DRAM预计最早明年年底实现初期量产 电路宽度缩小至10-11纳米

据业内消息，三星新一代1d DRAM的电路宽度已界定为10至11纳米，较当前商用的第六代1c DRAM的11至12纳米进一步缩小。这一尺寸缩减有望为新一代存储器带来性能与能效的双重提升。

技术代际与规格对比

第六代1c DRAM是三星目前已实现商用的DRAM产品，其电路宽度约为11至12纳米。而1d DRAM作为下一代产品，其电路宽度进一步收窄至10至11纳米。电路宽度的减小通常意味着晶体管密度增加，有助于提升速度和降低功耗。

“电路宽度”指DRAM芯片中最小线宽尺寸，数值越小代表制程越先进，可在相同面积内集成更多存储单元。

量产时间线分析

此前市场曾猜测三星可能于今年启动1d DRAM的量产。但据业界观察，由于相关核心生产设备仍处于开发阶段，该短期目标难以实现。从设备导入后的调试与量产准备周期推算，业内分析认为三星最早有望在明年年底实现1d DRAM的初期量产。

• 核心瓶颈：生产设备尚未完成开发。
• 关键节点：设备导入后需经调试周期，量产准备需时。

对行业的影响预期

若1d DRAM如期量产，将进一步巩固三星在DRAM技术代际上的领先地位。缩小电路宽度带来的性能提升与能效优化，有望为数据中心、移动设备等领域提供更优的存储解决方案。

三星计划明年二至三季度导入1d DRAM量产设备 将用于2029年商用的HBM5E

半导体行业人士透露，三星电子正与主要合作伙伴积极推进下一代1d DRAM的研发工作，目标是在2025年第二或第三季度导入量产设备。该时间表可能随研发进度调整，但预计相关计划将在今年年底进一步明朗。

研发进度与良率攻关

据知情人士称，1d DRAM是三星内部开发进度较快的工艺项目，目前研发重点在于确保良率与性能稳定。三星正通过与合作伙伴的协同研发，加速该技术的成熟进程。

“1d DRAM是三星内部开发进度较快的工艺项目，预计相关计划将在今年年底进一步明朗。”——知情人士

技术定位与AI存储器关联

根据三星规划，1d DRAM将在未来的AI存储器业务中扮演关键角色。该技术预计被采用为2029年商用的第九代高带宽内存——HBM5E的核心芯片载体。HBM5E作为高带宽内存的下一代产品，主要面向高性能计算与人工智能场景。

• 量产设备导入窗口：2025年第二至第三季度
• 技术应用：作为2029年商用的HBM5E核心芯片
• 当前阶段：与合作伙伴共同确保良率与性能

业界分析指出，1d DRAM的落地节奏直接影响三星在AI存储器市场的竞争地位，其研发进展将成为下半年行业关注焦点。