三星电子发布UFS 5.0闪存 顺序读取速度达10.8GB/s

三星电子于6月23日正式推出新一代UFS 5.0闪存解决方案，为移动存储市场树立全新性能标杆。该方案集成了JEDEC最新的嵌入式存储接口标准，顺序读取速度最高可达10.8GB/s，顺序写入速度最高达9.5GB/s。

性能指标达上代两倍以上

与上一代UFS 4.1标准相比，UFS 5.0的顺序读取和写入速度均实现翻倍增长，两项指标均达到UFS 4.1的两倍以上。这一显著提升意味着移动设备的数据传输效率将获得跨越式改善。

顺序读取速度最高可达10.8GB/s，顺序写入速度最高达9.5GB/s，两项指标均达到上一代UFS 4.1标准的两倍以上。

端侧AI体验有望改善

三星在官方信息中指出，UFS 5.0将显著改善未来移动设备的端侧AI运行体验。更快的存储速度能够缩短AI模型加载时间，提升推理过程中的数据吞吐效率，为智能手机等终端的本地智能功能提供基础支撑。

采用JEDEC最新接口标准

UFS 5.0集成了JEDEC（固态技术协会）最新的嵌入式存储接口标准。JEDEC是制定半导体存储器件通用标准的国际组织，其嵌入式存储标准定义了UFS（通用闪存存储）的物理层、协议层及互操作性规范。本次采用的最新标准在带宽和功耗管理上较前代进行了优化。

• 读取性能：10.8GB/s
• 写入性能：9.5GB/s
• 相比UFS 4.1：速度提升一倍以上
• 目标应用：端侧AI运行、高性能移动设备

UFS 5.0性能翻倍、能效提升超40% 助力端侧AI延迟降低

UFS 5.0存储技术的性能跃升，将为端侧AI体验带来升级。更高的存储速度有利于降低大语言模型在端侧运行时的延迟，显著提升响应速度。

性能与能效双重突破

相比上一代方案，UFS 5.0在性能方面实现翻倍提升，同时在能效方面同样实现突破，提升超过40%。

能效的改善得益于时钟门控、多电压技术等多项创新的引入。时钟门控技术用于在电路空闲时关闭时钟信号以减少动态功耗；多电压技术则根据负载需求动态调整供电电压。两者共同作用降低了传输同等数据量所需的功耗。

能效提升超过40%

对端侧AI的影响

能效的提升将有效延长下一代移动设备的电池续航，同时更快的存储速度直接缩短了AI模型加载和推理时的等待时间，提升用户交互流畅度。

• 性能翻倍，延迟降低
• 能效提升40%以上
• 时钟门控与多电压技术助力节能

三星UFS 5.0尺寸较前代缩小16.7%，第四季度量产提供最高1TB容量

三星最新发布的UFS 5.0闪存方案采用超紧凑封装设计，尺寸仅为7.5mm×13mm×0.9mm，较上一代产品体积缩减16.7%。该产品计划于今年第四季度正式进入量产阶段，届时将提供最高1TB的多种容量选项。

体积缩减提升设计灵活性

更小的封装尺寸意味着移动设备制造商能够在紧凑的机身内实现更高的内部空间利用率。以7.5mm×13mm×0.9mm的物理规格来看，UFS 5.0在相同体积下可容纳更大容量的存储芯片，有助于终端产品进一步轻薄化或增加其他功能模块。

UFS（Universal Flash Storage，通用闪存存储）是面向移动设备的存储标准，UFS 5.0作为最新一代规格，在读写性能与能效方面均有迭代。此次尺寸缩减直接为旗舰级设备的设计提供了更灵活的布局选项。

量产计划与容量选项

三星方面明确表示，UFS 5.0将于今年第四季度正式量产，提供最高1TB的多种容量选择。

从产品梯队看，1TB的顶配版本将首先满足高端市场的存储需求，而更小容量的版本则可兼顾性价比与不同层级的设备定位。三星未在本次声明中公布具体性能指标或功耗数据。

面向下一代终端市场

UFS 5.0的应用场景覆盖从旗舰智能手机到XR头显、AI可穿戴设备等下一代终端。其中，XR头显（扩展现实头显，涵盖虚拟现实、增强现实与混合现实设备）对高速数据传输和低延迟有较高要求，UFS 5.0的紧凑体积与高容量特性正契合这类设备内部高度集成化的需求。

• 时间节点：今年第四季度量产
• 最大容量：1TB
• 封装尺寸：7.5mm×13mm×0.9mm（较前代缩小16.7%）
• 目标市场：旗舰手机、XR头显、AI可穿戴设备