三星推出UFS 5.0闪存方案 专为设备端AI计算设计

三星电子今日宣布已开发出业界首款通用闪存存储（UFS）5.0产品系列。该系列产品专为设备端AI优化，旨在支撑设备内部高速AI计算处理。

搭载第九代V-NAND技术 符合JEDEC标准

据了解，UFS 5.0基于三星第九代V-NAND闪存技术开发，并遵循JEDEC最新嵌入式存储接口标准。三星方面表示，该系列将是业界首款符合上述技术规格的嵌入式存储产品。

“UFS 5.0产品系列专为设备端AI优化，可支撑设备内部高速AI计算处理。”——三星电子

产品定位与背景解读

通用闪存存储（UFS）是一种面向移动设备（如智能手机、平板电脑）的高性能嵌入式存储接口标准，其特点是集成度高、功耗低，适合对读写速度要求较高的场景。UFS 5.0作为该系列的最新型号，核心目标是为设备端AI推理与数据处理提供更高的数据吞吐能力，从而减少对云端计算的依赖。

三星此次推出的UFS 5.0产品系列，将在手机、平板及AI终端设备的高负载AI应用场景中提供底层存储支撑，有助于缩短AI计算过程中的数据加载时间。

三星发布UFS 5.0存储芯片：顺序读取10.8GB/s，能效提升超40%，第四季度量产

三星电子宣布推出新一代移动存储芯片UFS 5.0，其数据传输带宽达10.8GB/s，顺序读取速度同样为10.8GB/s，顺序写入速度达9.5GB/s，较上一代UFS 4.1性能翻倍。能效方面，UFS 5.0较上一代提升超过40%，通过引入时钟门控和多电压等新技术，传输同等数据量所需功耗大幅降低。

技术拆解：时钟门控与多电压如何降低功耗

时钟门控技术可阻断未使用电路的工作信号，避免无效电路持续耗电；多电压技术则为各电路施加最优电压，在保证性能的同时有效降低功耗与发热。两项技术协同作用，使UFS 5.0能效实现显著提升。

封装尺寸缩小16.7%，最高支持1TB容量

UFS 5.0封装尺寸仅为7.5mm×13mm×0.9mm，比前代缩小16.7%。更小的体积提升了移动设备、可穿戴设备及XR（扩展现实）设备的设计灵活性与空间利用率，最高支持1TB容量。

三星电子存储器事业部高级副总裁崔章锡表示，在设备端AI时代，存储已成为决定AI体验的关键要素。

量产规划与目标市场

三星计划今年第四季度启动UFS 5.0量产，供应范围将覆盖旗舰智能手机、XR头显及AI可穿戴设备等下一代终端市场。随着设备端AI应用对数据吞吐能力要求的提升，UFS 5.0的高带宽与高能效特性有望成为旗舰终端的标准配置。

三星电子第一季度NAND闪存营收135亿美元 市场份额达31.6%

市场研究机构TrendForce公布的最新数据显示，三星电子在今年第一季度NAND闪存市场实现营收约135亿美元，较上一季度增长104.7%，增幅超过一倍。

营收环比翻倍 市场份额居首

具体来看，三星电子该季度在NAND闪存领域的营收规模约为135亿美元，环比增长率达到104.7%。以营收计算，其市场份额为31.6%，位居行业榜首。

TrendForce数据：三星电子Q1 NAND闪存营收约135亿美元，环比增长104.7%，市场份额31.6%。

核心产品解释：NAND闪存是什么

NAND闪存是一种非易失性存储芯片，断电后仍可保留数据，广泛应用于智能手机、固态硬盘（SSD）、U盘等消费电子与企业级存储设备中。

市场地位进一步巩固

从营收规模与市场份额看，三星电子在一季度NAND闪存市场实现了显著的业绩增长，进一步巩固了其在该领域的领先位置。