第二季度消费级DRAM价格全面暴涨 LPDDR5X 12GB涨幅达89

市场调研机构SigmaIntell最新报告显示，今年第二季度消费级DRAM内存价格出现全面暴涨，部分产品季度环比涨幅接近九成，供需严重失衡成为核心驱动因素。

服务器GPU需求激化LPDDR内存竞争

据SigmaIntell分析，此番涨价的根源在于NVIDIA下一代AI计算平台Vera Rubin等服务器GPU的广泛应用。大规模部署导致LPDDR内存供应竞争被进一步激化，内存制造商顺势将涨价范围从企业级产品扩大至智能手机和PC所用的消费级内存。

具体产品涨幅差异显著

报告数据显示，LPDDR4X 4GB产品季度环比上涨75%，而LPDDR5X 12GB产品涨幅更是高达89%，高容量、高性能规格的内存涨幅更为明显。

“部分客户已接受新的定价，市场价格已充分反映出这一变化。”——SigmaIntell报告

消费级内存与AI算力需求深度绑定

LPDDR全称低功耗双倍数据速率内存，专为移动设备、笔记本电脑等对功耗敏感的终端设计。此次涨价表明，原本用于AI服务器的高带宽内存需求增长，已开始挤压面向消费市场的低功耗内存产能。

市场已接受新定价体系

报告指出，部分客户已接受新的定价，市场价格已充分反映出供需失衡的变化，内存厂商的价格调整已传导至终端市场。

二季度内存市场供需结构分化：消费级短缺，HBM及企业级产品强势，SSD价格季涨50%

2025年第二季度，全球内存和存储市场呈现显著的结构性分化。生产端优先侧重高附加值产品，导致消费级内存供应出现短缺，而HBM、服务器DRAM和企业级SSD等品类则保持强劲势头。

DRAM市场：消费级产能紧缩，服务器与HBM价格坚挺

半导体晶圆资源正集中向高带宽内存（HBM）倾斜，消费级DRAM产能因此相对缩减。HBM是一种通过堆叠多层DRAM芯片实现超高带宽的内存技术，主要用于AI加速器和高性能计算。虽然HBM通过与客户的年度合同维持稳定价格，但整体供需失衡状况仍十分严峻。

通用服务器DRAM呈现全行业价格上升趋势，云公司持续加大DRAM库存备货，分销库存目前维持在两到三周的低位。与此同时，部分智能手机和PC品牌受成本压力影响，正在调整内存订单。

“下半年DRAM价格上涨速度可能有所放缓，其中低端产品的需求增长预计将明显慢于中高端产品。”

NAND市场：SSD季度涨幅达50%，企业级产品需求强劲

NAND市场在二季度同样延续涨势，固态硬盘（SSD）价格季度环比上涨约50%。企业级NAND产品无论市场价格如何波动始终保持强劲。AI集群和AI代理服务器对存储容量的扩展需求是主要驱动力。AI代理服务器是指专门部署用于运行AI推理或训练任务的服务器，通常需要配备大容量企业级SSD以支撑海量数据读写。

• 消费级内存因产能转移而短缺，品牌厂商削减订单以应对成本压力。
• HBM、服务器DRAM和eSSD等高端产品占据主要晶圆资源。
• 分销库存处于低位，云公司仍在推进DRAM备货。

从供需传导逻辑看，生产资源向高附加值产品集中，直接压缩了消费级内存的供应空间，而下游智能手机、PC厂商的成本敏感度则进一步抑制了低端产品需求，市场整体呈现“高端紧、低端弱”的格局。

UFS价格涨幅最高达100% 企业SSD需求扩大引发供应短缺

NAND闪存市场的供需失衡正在向移动和PC领域传导。受企业级SSD需求激增影响，供应链出现短缺，UFS（通用闪存存储）价格涨幅最高已达100%。与此同时，低端NAND产品如eMMC供应减少，消费级NAND整体趋于紧张。

企业级需求溢出 移动端承压

企业SSD需求的急剧扩大是此次供应短缺的源头。由于数据中心和企业级存储对NAND晶圆的采购量持续增长，原厂产能优先满足高利润的企业级订单，导致面向移动与PC市场的NAND分配量减少。

UFS价格最高涨幅达100%，低容量eMMC等低端NAND供应同步减少。

行业术语解读

UFS（Universal Flash Storage）是一种面向移动设备的内嵌式存储标准，常见于智能手机、平板电脑等产品；eMMC（embedded MultiMediaCard）则是一种更低成本的嵌入式存储方案，多用于入门级设备及部分物联网终端。

低端市场供需同步收紧

随着低容量eMMC等低端NAND产品供应量下滑，消费级NAND市场的供需形势趋于紧张。这意味着不仅高端旗舰机型面临UFS涨价压力，入门级设备也可能因eMMC缺货而调整产品方案。

• 企业SSD需求扩大引发NAND晶圆供应短缺
• 供应短缺蔓延至移动与PC NAND市场
• 低端eMMC供应减少加剧消费级NAND紧张