三星、SK海力士和美光在美国遭DRAM集体诉讼

近日，三星、SK海力士和美光在美国面临一项集体诉讼。起诉方指控这三家主要DRAM厂商通过限制供应推高价格，导致存储器市场在持续缺货背景下出现历史高位价格，并要求相关企业作出赔偿。

DRAM厂商被指限制供应抬价

根据外媒报道，此次集体诉讼的核心指控指向三大DRAM供应商的供应策略。起诉方认为，三星、SK海力士和美光通过协同限制DRAM的供应量，人为制造市场短缺，从而推动产品价格升至历史高位。

“存储器市场在持续缺货背景下出现历史高位价格”

专业名词解析：DRAM

DRAM（动态随机存取存储器）是计算机和电子设备中常见的一种内存类型，用于暂时存储运行中的程序和数据，断电后数据即丢失。它是存储器市场的重要组成部分，广泛应用于个人电脑、服务器、智能手机等领域。

诉讼背景与潜在影响

该集体诉讼的提起，意味着三大DRAM厂商在美国市场可能面临法律层面的审查。业内人士指出，若指控成立，相关企业可能需要承担相应赔偿责任，这也可能对存储器行业的定价与供应策略产生直接压力。

针对DRAM厂商的反垄断诉讼提交至美国加州联邦法院 立案时间2026年6月25日

2026年6月25日，一起针对DRAM（动态随机存取存储器）厂商的反垄断诉讼被提交至美国加利福尼亚北区联邦地区法院。案件编号为3:26-cv-06345，由法官Noel Wise负责审理。原告包括多名个人及企业，他们对相关厂商的市场行为提出指控。

诉讼指控人为制造供应紧张

根据起诉文件，原告认为相关厂商通过人为制造行业供应紧张，从而抬高DRAM产品售价。这类行为直接损害了消费者和下游采购方的利益。

案件编号3:26-cv-06345，立案时间2026年6月25日，涉反垄断诉讼。

反垄断诉讼核心主张

• 原告指控厂商人为限制DRAM供应量，导致产品价格虚高。
• DRAM（动态随机存取存储器）是一种半导体存储器，主要用于计算机、服务器等电子设备的临时数据存储。
• 反垄断诉讼针对的是市场垄断行为，旨在维护公平竞争秩序。

目前，该案已进入司法程序，后续进展将取决于法院的审理节奏及双方举证结果。

三星遭新DRAM价格诉讼 历史操纵案曾罚3亿美元

全球存储器市场正处于供需失衡阶段，DRAM价格因需求持续高于供给而不断上涨。在这一背景下，三星电子近期再度面临与DRAM价格操纵相关的诉讼。目前该诉讼的最终结果尚未公布，但市场供给偏紧格局下，标准消费级市场的价格压力短期内仍未明显缓解。

供需失衡与市场争议

当前DRAM市场同时面临来自AI等领域的新增需求，进一步加剧了供应压力。相关厂商表示，此次短缺并非单纯由人为因素导致，而是与需求增长过快有关。厂商正在通过新建晶圆厂和扩充产线等方式提升产能，以应对持续增长的需求。

“当前短缺并非单纯由人为因素导致，而是与需求增长过快有关。”——相关厂商表态

历史回溯：三星曾因价格操纵受罚

此次争议之前，三星曾在2005年因早年DRAM价格操纵问题被美国司法部处罚3亿美元。彼时涉及的价格操纵行为发生于1999年4月至2002年6月，受影响客户包括Dell、惠普、苹果和IBM等企业。三星当时已就相关行为认罪。除三星外，当年涉案企业还包括美光、海力士等DRAM制造商。

• 处罚金额：3亿美元
• 操纵时段：1999年4月至2002年6月
• 受影响客户：Dell、惠普、苹果、IBM等
• 其他涉案企业：美光、海力士等

现状与展望

供给偏紧背景下，厂商与战略客户正在签订多年合作协议，但标准消费级市场面临的价格压力短期内仍未明显缓解。新诉讼的走向将成为市场关注的焦点之一。