SK海力士完成375层NAND验证，预计2026年底启动量产

SK海力士在NAND闪存技术领域取得新进展。根据业内消息，该公司已完成375层NAND闪存产品的验证工作，并计划于2026年底前在现有工厂中启动大规模生产。这一动作旨在响应市场对更高存储容量的持续需求。

通过工艺转换实现产线升级

据消息称，量产将不依赖新建产线，而是通过现有工厂的工艺转换实现。目前，这些生产线主要承担321层V9 NAND闪存的制造任务。完成升级后，它们将能够支持堆叠层数更高的新解决方案。

这项技术发展被视为SK海力士在满足不断增长的存储容量需求上的关键布局。

行业内的高层数竞赛

高堆叠层数是提升闪存存储密度的核心路径之一，这意味在同样的芯片面积内可以容纳更多数据单元。在当前行业竞争中，SK海力士与三星正在NAND闪存堆叠层数上展开激烈比拼，双方都在推动层数极限以争夺技术领先地位。

SK海力士将首款3D NAND量产节点调整至375层 钼材料需求预计激增

在高性能计算与数据中心需求的推动下，3D NAND闪存的层数竞赛正面临关键的材料瓶颈。近期行业信息显示，SK海力士已将其阶段性量产产品由原计划的“400层级”调整至375层，并将关键材料转向金属钼，以应对更高堆叠层数的技术挑战。

高层数堆叠遭遇材料“天花板”

为提升存储密度并降低单位成本，NAND制造商持续提升芯片的垂直堆叠层数。三星已明确计划通过技术路线图向400层以上，乃至900层和1000层目标迈进。而SK海力士则首先将375层产品作为量产切入点。

行业人士透露，SK海力士内部最初将这一代产品定位为“400层级”NAND，但在实际工艺开发过程中，由于在同一芯片内堆叠过多层数时遇到严重的工艺与信号传输难题，最终将设计修正为375层。

这一调整揭示了持续堆叠的核心障碍：当层数超过一定数量时，现有材料体系难以维系。3D NAND是将存储单元在垂直方向如同高楼般层层堆叠起来的技术，层数越多，单芯片容量越大。

钼成为突破材料瓶颈的关键

报道指出，继续向480层、604层迈进，必须更换关键的互连导电材料。目前广泛采用的钨，在高层数堆叠、导线尺寸不断缩小的环境下，电阻与信号损耗问题凸显，难以控制。

相比之下，金属钼在更窄的布线条件下能保持更好的导通特性，被视为突破高层堆叠限制的关键材料。三星已在其部分NAND工艺中率先导入钼，并计划在今年推出首批400层级产品以巩固市场地位。

在高层数3D NAND中，互连材料用于连接不同层之间的存储单元，其导电性能直接影响信号传输速度和芯片整体性能。SK海力士将在后续更高层数产品中，同步完成从钨到钼的材料切换，以缩短与技术领先者的差距。

材料切换驱动供应链需求剧变

技术路线的变更直接牵动了上游原材料供应链。钼的需求量近年开始显著增长，成为NAND生产中的重要原材料。三星的采购数据提供了清晰例证：

• 去年采购了约4吨钼。
• 今年迄今为止的采购量已增至约10吨。

随着SK海力士等厂商跟进导入钼材料，预计其今年用量也将达到约4吨。产业机构预测，随着400层级及以上产品进入量产，钼的需求将进入快速增长通道。

到2027年预计将达到25吨，2028年增至40吨，2029年约为60吨，并在2030年左右进一步攀升至80吨规模。

这意味着晶圆制造商需要投入更多资金采购新材料并升级相关设备与产线，以支撑更复杂的堆叠工艺。

375层成为技术演进的关键跳板

对于SK海力士而言，375层产品的量产不仅是其工艺能力的验证，更是向480层、604层等更高节点演进的技术跳板。材料供应的稳定性、成本控制能力将与技术迭代速度一同，决定NAND厂商在未来竞争中的位置。

未来，要顺利推进更高层数的产品路线图，如何在保持生产良率的同时控制因材料转换带来的成本上升，将成为制造商的共同课题。