首页 / 科技 / 铠侠正式送样第九代BiCS FLASH闪存采用230层阵列与4.8Gb/s接口

铠侠正式送样第九代BiCS FLASH闪存采用230层阵列与4.8Gb/s接口

摸鱼不慌 2026-07-30 21:19:58

7月30日，铠侠官方宣布已正式开始送样采用第九代BiCS FLASH技术的3D闪存芯片，首批型号为1Tb容量的TLC颗粒。该产品主要面向中低容量存储市场，旨在提供高性能与高能效比的平衡方案。

第九代BiCS FLASH采用230层存储阵列，虽然堆叠层数与第八代相近，但核心电路进行了大规模改进。新一代芯片应用了与后续第十代BiCS10相同的CMOS制造技术，NAND接口速率提升至4.8 Gb/s。

NAND接口速率指闪存芯片与主控制器之间的数据传输速度，4.8 Gb/s意味着单位时间内数据吞吐能力更强，有助于缩短读写响应延迟。

接口速率的提升将使单位面积下的数据吞吐能力和响应延迟显著改善，有助于厂商制造功耗更低、读写更快的消费级固态硬盘，尤其在接口带宽受限的移动计算平台中表现更为突出。

与以往追求极限堆叠层数不同，铠侠在此代产品上采取了稳健策略，通过底层架构升级而非单纯增加层数来提升性能。第九代BiCS FLASH专注于中低容量市场，寻求性能与能效比的平衡。

铠侠同时明确了后续技术路线图。第十代BiCS FLASH计划将阵列层数进一步提升至332层，专注于未来超大规模数据中心以及高性能服务器场景，提供更大容量的单芯片解决方案。

目前该产品处于送样阶段，量产时间、价格与实际性能均未披露。采用该闪存的终端产品也尚未公布，其在大规模生产中的稳定性以及对不同主控芯片的兼容性表现，仍有待后续观察。

本文由摸鱼不慌发布，转载请注明出处。
文章链接：https://www.moyubuhuang.com/keji/202607/101424.html

铠侠正式送样第九代BiCS FLASH闪存 采用230层阵列与4.8Gb/s接口