微星测试：标准EXPO内存启用High-Efficiency模式延迟降至71.6ns

微星（MSI）于7月30日发布博文称，在标准EXPO DDR5内存上启用High-Efficiency模式后，其延迟表现可接近EXPO ULL内存。测试显示，标准EXPO内存延迟从默认的79.4纳秒降至71.6纳秒，仅比EXPO ULL内存的71.4纳秒高0.2纳秒。

High-Efficiency模式设置与效果

该模式集成于MSI CLICK BIOS X，在Overclocking页面提供Tightest、Tighter、Balance、Relax共4档预设。微星指出，EXPO ULL内存启用该模式后延迟从71.4纳秒降至71.1纳秒，提升有限，因此ULL内存用户无需开启。

测试平台一览

• CPU：AMD Ryzen 7 9800X3D
• 主板：MSI B850MPOWER
• 内存：芝奇 F5-6000A3038F16GX2-TZ5NXRK (EXPO ULL) 16GB×2 与 F5-6000J3038F16GX2-TZ5N (Standard) 16GB×2
• 显卡：MSI GeForce RTX 5090 32G VANGUARD SOC
• CPU散热器：MSI MPG CORELIQUID P13 360
• 电源：MSI MEG Ai1300P PCIE5
• 操作系统：Microsoft Windows 11 25H2

延迟数据对比

默认延时：标准EXPO 6000 CL30-38-38-96 79.4ns，EXPO ULL 6000 CL30-38-38-32 71.4ns
启用High-Efficiency：标准EXPO 71.6ns，EXPO ULL 71.1ns

对比可见，标准EXPO内存在开启High-Efficiency模式后延迟降幅约9.8%，基本追平EXPO ULL内存。而EXPO ULL内存在该模式下仅降低约0.4%，性能提升不显著。

背景技术简介

EXPO是AMD专为AM5平台和DDR5内存设计的一键超频技术。EXPO ULL（超低延迟）则在相同频率与主要时序基础上，进一步收紧tRRD、tFAW等二级时序以降低延迟。微星此次测试表明，标准EXPO内存配合High-Efficiency模式即可达到接近ULL内存的表现，或可降低用户对高溢价ULL内存的依赖。此前消息称，EXPO ULL内存首发溢价高达79%，如芝奇DDR5-6000 CL28新品。