AMD推出Versal Premium Gen 2 MoP，首款封装内存自适应SoC面世

AMD近期宣布推出Versal Premium Gen 2 MoP自适应系统级芯片（SoC），该产品成为公司首款采用封装内存架构的Versal系列芯片。该SoC在单一封装内集成了最高32GB LPDDR5X内存，提供最高288GB/s的带宽。

封装内内存架构带来性能与尺寸优势

AMD此次推出的Versal Premium Gen 2 MoP集成的LPDDR5X内存直接封装于芯片内，而非安装在板载或分立组件中。与传统的板载或分立LPDDR5X方案相比，该设计在尺寸占用和性能表现之间实现了新的平衡。

从逻辑上看，封装内存架构减少了信号传输距离，降低了延迟和功耗，同时简化了电路板布局。对于需要高带宽和紧凑空间的应用场景，这一设计提供了直接的硬件基础。

技术参数与性能指标

• 内存规格：最高32GB LPDDR5X
• 内存带宽：最高可达288GB/s
• 芯片类型：自适应系统级芯片（SoC）
• 产品系列：Versal Premium Gen 2 MoP

LPDDR5X与封装内存

LPDDR5X是一种低功耗双倍数据速率内存标准，相较于前代LPDDR5，其在数据传输速率和能效上进一步提升。封装内存（MoP，Memory-on-Package）指的是将内存芯片直接集成在处理器封装内部，而非通过单独的插槽或焊接到主板上，从而缩短数据通路。

AMD Versal Premium Gen 2 MoP在单一封装内集成最高32GB LPDDR5X内存，最高带宽可达288GB/s，这一定位意味着该产品旨在满足对高带宽和低延迟有严格要求的边缘计算、网络和通信设备细分市场。

市场定位与直接意义

基于当前素材提供的信息，该产品的推出直接回应了某些高性能计算场景中，板载内存方案在尺寸和带宽之间难以兼顾的痛点。业内人士指出，封装内存方案的出现可能促使相关设备在同样物理尺寸下获得更高的数据处理能力。

AMD推出Versal Gen 2 MoP：集成LPDDR5X封装内存以替代HBM

AMD于近日发布了Versal Premium Gen 2 MoP（Memory on Package）系列自适应SoC芯片。该设计通过在封装中集成多达四颗LPDDR5X芯片，提供了最高32GB容量与288GB/s带宽，旨在应对数据中心与AI市场对高带宽内存的需求，并被视为替代HBM（高带宽内存）的现实选项。

集成LPDDR5X：面积缩减60%与10倍算力提升

据AMD介绍，Versal Gen 2 MoP采用封装内集成LPDDR5X内存的方案，最高支持9000MT/s速率，相比传统分立LPDDR5X设计可缩减超过60%的板卡面积，同时带来高达10倍的算力提升，并支持超过15年的产品生命周期。

“MoP（封装内存）是指将内存芯片直接集成在处理器封装内，从而缩短信号传输路径，减少板卡占用空间并提升能效。”

在受限环境中的部署优势

更紧凑的封装与板卡设计，使高带宽系统能够在以往因外部高速内存布线、空间与散热问题而难以实现的形态中部署，例如企业与数据中心标准外形（EDSFF）、3U VPX等规格，同时也便利了电信及航空航天等空间受限的环境。

• EDSFF：针对企业级与数据中心设计的标准化存储外形规格，强调高密度与散热效率。
• 3U VPX：一种针对军用、航空等坚固环境的VMEbus扩展标准，要求严苛的尺寸与散热约束。

基于Arm架构与高速接口

Versal Premium Gen 2 MoP采用基于Arm架构的自适应SoC设计，并在芯片内集成CXL 3.1与PCIe 6.0硬核IP，单链路速率最高64Gb/s。该芯片可与AMD EPYC处理器搭配，为数据密集型应用提供高速数据通路。

内存扩展与工作负载支持

MoP设计通过CXL内存池与扩展模块实现灵活的内存扩展，为AI推理、视频处理、网络安全等高带宽工作负载提供充足的数据供给能力。在具体资源配置上，目前公布的器件型号包括2VP3422、2VP3522与2VP3622，系统逻辑单元最高可达327.3万个，集成LPDDR5X容量统一为32GB，配备八个x32位控制器，并提供数千个DSP引擎以及两路PCIe 6.0 x8接口并支持CXL 3.1。

高I/O密度与复杂系统设计

这些器件还具备最高194条XP5IO与78条MIO通道，以及最多72个GTM2高速收发器，面向需要高带宽、高I/O密度和强大可编程逻辑的复杂系统设计。

AMD发布Versal Premium Gen 2 MoP：支持-40℃至110℃工业级工作温度

AMD近日推出Versal Premium Gen 2 MoP（模块化封装）产品，该产品面向长生命周期和严苛环境设计，支持从-40℃到110℃的工业级工作温度范围，适用于长期在线、任务关键型场景。

封装内存架构：脱离HBM更新周期

Versal Premium Gen 2 MoP采用LPDDR5X封装内存，并承诺提供超过15年的生命周期支持。AMD表示，这一设计旨在将产品供应节奏与数据中心驱动的HBM更新周期脱钩，降低因内存停产或供应受限而被迫改版的风险。

对工业控制、通信、国防等行业而言，内存停产导致的改版风险尤为突出。

所谓封装内存，是指将内存颗粒直接集成在芯片封装内部，而非放置在电路板上的独立内存模块。这种设计减少了高速数据线在板级走线时产生的信号衰减和电磁干扰问题。

安全能力：PCIe 6.0链路加密与DDR内存加密

在安全方面，Versal Premium Gen 2 MoP引入PCIe 6.0的链路层完整性与数据加密（IDE）特性，用于增强对物理攻击的防护能力，保障传输中数据安全。芯片内集成的DDR内存加密功能可在不占用可编程逻辑资源的前提下保护静态数据。

此外，该芯片配备硬核400G高速加密引擎，可在不牺牲吞吐量的情况下为高带宽安全处理提供支持。这一特性对需要同时处理高数据吞吐与高强度加密的通信、国防类应用尤为关键。

开发交付：预验证封装接口缩短项目周期

在开发与交付层面，Versal Premium Gen 2 MoP提供预验证的封装LPDDR5X接口。AMD指出，这免去了在电路板上进行高速度内存布线的复杂工作，有助于减少板级仿真与验证，从而缩短项目开发周期、降低设计风险并减少昂贵的多次改板。

AMD表示，这一封装内存架构旨在帮助系统架构师在有限空间与严苛热设计条件下继续提升带宽与算力，加速高带宽系统的量产落地。在工业控制、通信基站、国防电子等对温度范围、长期供货及可靠性有严格要求的场景中，该产品所平衡的性能与稳健性可能直接影响系统部署节奏。

• 工作温度范围：-40℃至110℃
• 封装内存规格：LPDDR5X
• 生命周期支持：超过15年
• 安全特性：PCIe 6.0 IDE、DDR内存加密、硬核400G加密引擎
• 接口交付：预验证封装LPDDR5X接口

AMD Versal Premium Gen 2 MoP 设备规划：2026 年底送样，明年下半年量产

AMD 近期公布了 Versal Premium Gen 2 MoP（Memory-on-Package）设备的官方规划。按照时间表，该产品预计将在 2026 年底开始向客户送样，并于明年下半年进入量产阶段。这一举措是在 HBM 持续供不应求、价格维持高位的市场环境下推出的。

封装 LPDDR5X：高带宽计算的折中选择

为了应对高带宽计算场景中对内存性能与成本的双重需求，AMD 在 Versal Gen 2 上引入了封装 LPDDR5X 方案，而非继续沿用传统的 HBM 路线。LPDDR5X 是一种低功耗、高带宽的 DRAM 标准，将其直接封装在处理器同一封装内，能够有效缩短数据路径，提升带宽效率。

“通过在 Versal Gen 2 上引入封装 LPDDR5X 方案，AMD 试图为高带宽计算市场提供一个兼顾性能、成本与供应稳定性的折中选择。” —— 根据官方规划表述

市场背景与行业影响

目前 HBM 产品面临严重的供货紧张，价格持续处于高位，这迫使下游厂商寻求替代方案。AMD 选择 LPDDR5X 作为片上封装内存，既能规避 HBM 的供应瓶颈，又能在功耗和成本上取得平衡。这一设计也为未来更多标准 SoC 采用封装内存架构提供了可参照的样板。

• Versal Premium Gen 2 MoP 设备定位高带宽计算市场，面向数据中心、网络等应用场景。
• 送样时间锁定 2026 年底，量产窗口为 2027 年下半年。

业内人士指出，若 Versal Premium Gen 2 MoP 如期量产，将有望缓解当前高带宽内存的供应压力，同时降低系统级成本。