英伟达 Rubin Ultra AI 加速器因制造问题调整技术方案

据科技媒体 IT 之家 7 月 1 日报道，消息源 @SemiAnalysis_ 于昨日（6 月 30 日）在 X 平台发布推文透露，因制造执行问题，英伟达原定 2027 年推出的 Rubin Ultra AI 加速器将放弃 4-Die 方案，转而采用 2-Die 方案。

制造执行问题引发方案变更

消息源指出，这一调整的直接原因是制造执行过程中遇到的挑战。原定采用 4 个 Die（即芯片裸片）的设计方案，由于制造复杂性较高，未能满足预期执行效率，因此英伟达选择退而求其次，转向 2-Die 方案。

“原定 4-Die 方案的制造执行出现了问题，导致英伟达不得不改变技术路线。”消息源如是说。

技术方案调整的影响分析

从技术角度看，“Die”是指从晶圆上切割下来的单个裸芯片单元。4-Die 方案通过集成四个这样的裸芯片实现更高性能，但制造工艺和封装难度也相应提升。改为 2-Die 方案后，虽然可能降低性能上限，但有望提高生产良率和可执行性。

业内人士指出，这一调整可能意味着英伟达在 Rubin 系列产品的时间表上做出权衡，以确保产品能够按原定 2027 年的节点推向市场。

Rubin 系列产品背景

英伟达 Rubin Ultra AI 加速器是该公司规划中的下一代高性能计算产品，面向 AI 训练和推理等场景。此次方案变更并未影响该系列产品的基本定位，但具体规格和上市时间可能进一步受制造进度影响。

截至目前，英伟达官方尚未就上述消息作出公开回应。

英伟达放弃Rubin Ultra 4-Die设计 转投2-Die方案以解决封装与散热难题

据IT之家披露的消息源透露，英伟达因“制造执行方面的担忧”，已决定放弃其下一代 Rubin Ultra 架构的 4-Die 设计，转而采用更易量产的 2-Die 版本。这一变更涉及先进封装、散热及显存配置等多个关键技术环节。

4-Die方案面临多重工程挑战

消息源指出，4-Die 方案采用的连接方案接近光罩极限尺寸，对现有的先进封装技术构成了极高的工程挑战。光罩极限尺寸指的是光刻机在单次曝光中能处理的最大区域，接近该极限意味着工艺容错率极低。

在散热方面，4-Die 设计需要搭配 16 个 HBM4E 显存，导致散热难度显著增加，并推高了整体成本。这一组合被认为在量产阶段存在较高的风险。

性能缩水或影响市场竞争力

根据消息源的说法，改为 2-Die 方案后，新款 Rubin Ultra 的性能相比 4-Die 方案将缩水一半。这一调整可能在与 AMD Instinct MI500 系列的竞争中降低英伟达产品的竞争力。

消息源称英伟达因“制造执行方面的担忧”放弃该设计，转向更易量产的 2-Die 版本。

• Die（中文常称为裸片、裸晶、晶粒或芯片）是指从一整片圆形硅晶圆上，通过精密切割工艺分离下来的、单个含有完整集成电路功能的小方块。
• 先进封装是当前芯片制造中用于整合多个 Die 的关键技术，挑战在于如何在有限空间内高效连接并散热。

目前英伟达的 Rubin Ultra 方案从 4-Die 转向 2-Die，意味着其在追求性能与可制造性之间做出了平衡选择，而这一决策的直接后果是性能指标的大幅下调，为其在高性能计算市场的布局增添了不确定性。