存储现货价格分化：DRAM低密度芯片上涨，NAND Flash晶圆周跌1.03

据TrendForce最新存储现货价格报告，截至7月1日当周，DRAM与NAND Flash市场呈现截然不同的走势。DRAM现货中低密度DDR4和DDR3芯片价格出现上涨，但大盘整体维持横盘运行；NAND Flash现货价格则继续下探，其中512Gb TLC晶圆周跌幅达1.03%。

DRAM：低密度型号领涨，高价抑制成交

本周DRAM现货价格上涨动力集中在低密度DDR4和DDR3芯片上，主要来自特定领域的需求支撑。大盘整体处于横盘状态，其他型号产品虽偶有零星询价，但由于报价持续处于高位，买家追涨意愿偏低，整体成交量依然有限。

“低密度”通常指容量较小的内存芯片，常见于嵌入式系统、网络设备等对成本敏感的领域；而“DDR4/DDR3”是双倍数据速率内存的不同技术规格。

业内人士指出，买方对当前价格水平存在观望情绪，采购行为趋于谨慎，市场活跃度不足。

NAND Flash：价格继续下探，512Gb晶圆领跌

与DRAM的局部上涨不同，NAND Flash现货价格延续了此前的下行趋势。其中，512Gb TLC（三级单元）晶圆周价格下跌1.03%，成为本周跌幅最明显的品类。该走势反映出终端需求疲软及供应端库存调整的压力。

• DRAM方面：低密度DDR4/DDR3价格上涨，但大盘横盘，高价抑制成交。
• NAND Flash方面：512Gb TLC晶圆周跌1.03%，整体价格继续下探。

DDR4现货价周涨0.28%至36美元 NAND Flash市场持续疲软

据现货市场监测数据显示，主流芯片DDR4 1Gx8 3200MT/s的平均现货价从6月24日的35.900美元上涨至6月30日的36.00美元，周涨幅0.28%。同期NAND Flash现货市场则延续疲软态势，需求明显萎缩并持续探底。

DDR4价格温和上行

DDR4是第四代双倍数据率同步动态随机存取存储器，其1Gx8规格代表单颗颗粒容量为1Gb、数据位宽为8位，3200MT/s为数据传输速率。此次现货价从35.900美元升至36.00美元，价格波动幅度极小，显示出供应端报价相对稳定。

NAND Flash市场探底

与DDR4形成对比的是，NAND Flash现货市场持续探底。供应商为优化库存水平已主动调整报价，但买家对当前价格水平的接受度已达到容忍极限，备货极为谨慎。市场缺乏有力买盘支撑，成交冷清。

业内人士指出，当前NAND Flash领域买家观望情绪浓厚，供需双方在价格博弈中尚未找到平衡点。

整体来看，存储芯片现货市场呈现分化走势：DDR4维持窄幅震荡，而NAND Flash则在需求不振中继续探底。

6月29日512Gb TLC晶圆现货价下跌1.03%至19.862美元

6月29日，512Gb TLC晶圆现货报价回落至19.862美元，较前一周下跌1.03%。市场人士指出，买盘力量持续缺失，现货价格失去上行动能，整体维持弱势格局。

市场供需关系致价格承压

TLC（三层存储单元，Triple-Level Cell）是NAND闪存的一种存储架构，512Gb晶圆为下游SSD及存储卡的主要原材料。本周报价下行直接反映出终端需求疲软与采购意愿低下的现状。

“市场缺乏实质性买单支撑，整体价格完全丧失上涨动力。”——行业分析

在缺乏新增订单刺激的情况下，晶圆现货交易多以刚需询价为主，成交活跃度偏低，卖方报价持续松动。

本周价格变动特点

• 下跌幅度：1.03%，较前期跌幅有所收窄但跌势未改。
• 价格水平：19.862美元为近期低位，暂未触及此前市场预期的整数关口。
• 资金流向：买家多持观望态度，未出现批量囤货迹象。