iPhone 18 Pro被曝将采用QLC闪存

7月3日消息，外媒报道称，有传闻指出，部分iPhone 18 Pro机型可能采用QLC闪存方案。这一传闻与2024年流传的关于iPhone 16 Pro采用QLC闪存的消息称似。

QLC闪存简介

QLC闪存是一种存储技术，通过在每个存储单元中存储4个比特数据来提高存储密度，属于NAND闪存的一种类型。

“部分iPhone 18 Pro机型将采用QLC闪存”。

这一爆料若属实，可能对终端用户体验产生影响，包括存储访问速度和产品成本等方面。

iPhone 18 Pro或因供应链调整调整高低容量闪存策略

据CNMO科技爆料，苹果在iPhone 18 Pro存储方案上可能采取分级策略：主流版本将配备速度更快的TLC闪存，而1TB、2TB大容量版本或改用速度较低的QLC闪存。这一决策被视为应对存储芯片供货紧缺的权宜之计。

存储芯片专业名词解释

闪存分为TLC和QLC两种类型。TLC（Triple-Level Cell）闪存通过每个存储单元存储3个电子状态来实现更高性能，而QLC（Quad-Level Cell）闪存存储4个电子状态，密度更高但读写速度较慢、寿命相对较短。这种技术取舍在存储行业是常见做法。

供应链与成本考量

苹果企业面临新品存储芯片供货紧缺难题。行业分析指出，大批量采购1TB、2TB规格的TLC闪存芯片面临实际困难，这不仅采购难度大，还会大幅抬高整机成本。当前存储芯片行业整体行情使这一矛盾更为突出。

实际上，2024年iPhone 16 Pro发布前，就曾传出过高度相似的爆料，当时传言苹果会给1TB及以上大容量iPhone配备QLC闪存。

这种存储策略调整对消费者意味着，购买更高容量版本的iPhone 18 Pro时，可能会体验到文件写入速度的差异。市场观察人士指出，厂商通过这种方式可以在不牺牲用户基本使用体验的前提下，确保中端配置的存储性能优势，同时降低高容量版本的制造成本。

QLC与TLC闪存在性能与成本上的差异化表现

消费级存储市场中的QLC和TLC闪存，在读写性能和成本上展现出明显不同。TLC的缓外写入速度普遍稳定在300MB/s以上，高端型号的峰值能够突破3000MB/s，在处理大文件持续拷贝时性能趋于稳定，随机写入能力约是同级QLC的三倍。

性能对比

QLC闪存在SLC缓存激活状态下读写表现尚可，但一旦缓存资源耗尽，写入速度通常会跌至100-250MB/s区间，接近传统机械硬盘的水平，高负载情况下可能引发性能卡顿。

TLC的缓外写入速度普遍稳定在300MB/s以上。

成本与容量差异

TLC闪存因单位存储容量的生产成本更高，市场上同规格产品的定价通常比QLC高出一定比例。相比之下，QLC凭借更高的存储密度显著降低了单位TB的成本，使之能够以更具竞争力的价格提供1TB以上的大容量版本。

业内人士指出，TLC闪存更适合对性能有较高要求的场景，而QLC则更多基于成本优势面向大容量存储需求。