忆联发布PCIe5企业固态新品 UH812c/UH832c 性能持续突破

存储解决方案提供商忆联今日推出新一代PCIe Gen5企业级固态硬盘UH812c及UH832c，这两款SSD分别对应标准工作负载与高性能应用场景。

产品差异化定位解析

据产业资讯平台报道，新品UH812c提供1日写入耐久度(DWPD)，而UH832c则支持3日写入量，满足不同企业级应用场景的长期数据可靠性要求。业界人士注意到，产品命名体系中的DWPD数值提升，代表着企业客户对数据存储设备耐久性的更高期待。

性能突破性进展

根据性能测试数据显示，相较于上一代UH812a系列，企业客户在实际应用场景中可获得14%的顺序写入速度和20%的随机写入性能提升。值得注意的是，产品在小IO操作场景中表现尤为突出，Key值读取时延优化至52μs，较前代产品有显著改善。

技术创新路径解读

新产品采用新一代NAND闪存芯片，通过多级存储技术和读写算法优化，提高存储单元的擦写效率。对技术敏感的企业客户而言，这样的硬盘不仅提供更快的数据通道，更能降低企业数据中心的全生命周期拥有成本。

PCIe Gen5技术特性要素

PCIe Gen5作为最新的高速接口标准，在48Gbps的数据传输速率下能达到惊人的7.2GB/s双向带宽，比前代技术提升整整一倍。

企业级SSD在数据中心应用中，通常需要同时满足高速、大容量与长寿命三大核心要求。忆联的新型解调技术帮助客户实现每一项指标的动态平衡。

业内观察人士指出，随着服务器主板接口数量的提升和闪存价格的持续下降，更多企业正考虑通过增加SSD部署密度来实现服务器架构的优化，这正是本次新品强化DWPD数值的重要市场动因。

忆联UH812c/UH832c NVMe固态硬盘支持高速率低功耗

忆联公司宣布其新型存储设备UH812c和UH832c，采用先进技术满足企业级数据存储需求，具备高速读写和低功耗特性。

产品概述

UH812c与UH832c基于3D eTLC三维电子存储技术及忆联自主研发主控系统，集成自主固件设计，确保稳定性能，并符合NVMe 2.0协议标准。

两款设备均使用PCIe Gen5 ×4接口，支持U.2和EDSFF E3.S1T外形规格，最大容量可达16TB级别，适用于高密度存储场景。

性能参数

UH812c提供最高14.9GB/s顺序写入速率和12GB/s顺序读取速率，而UH832c则在随机读写方面表现优异，支持350K IOPS读取和110K IOPS写入。

在延迟方面，4KB块大小下QD1顺序读写时延分别为7μs和6μs，随机写入时延为6μs，整机功耗在闲置时不超过5W，峰值功耗低于25W。

• 支持NVMe-MI 1.2b带外管理功能
• 具备端到端E2E数据保护机制
• 内置数据安全擦除与 sanitize功能
• 提供256K原子写入和智能预读技术

这些特性帮助企业优化存储效率，并减少维护复杂性。该产品发布将进一步丰富市场选择，可能对数据中心升级带来积极影响。