铠侠加速AI NAND布局 今明两年将实现量产

日本存储企业铠侠正加大对下一代面向人工智能应用的NAND闪存产品的研发力度。8月3日传出消息，铠侠计划在今明两年内陆续实现面向AI数据中心和终端设备的新型NAND解决方案的量产。

面向AI数据中心的产品进展

铠侠的这一战略动作被视为是对抗三星电子和SK海力士等韩国主要存储厂商的积极应对。业内分析认为，随着人工智能应用的日益普及，市场对于高性能NAND芯片的需求正在迅速增长。

新型NAND技术优势

据介绍，此次铠侠研发的新一代NAND技术能够满足数据中心对更高性能和更低功耗的需求。其采用优化的存储单元技术，能够在保证数据处理速度的同时提升能效，这对于日益关注能耗的AI计算中心尤为重要。

AI时代存储市场新动向

近年来，人工智能技术在多个行业得到应用，带来了前所未有的数据量和复杂处理需求。这一趋势正不断推动存储技术向更高速度、更大容量以及更高能效发展。铠侠此次的量产计划，反映了全球存储厂商正在积极适应这一市场变化。

高端NAND市场竞争正在加剧，铠侠的这一举措既面临韩国厂商的竞争压力，同时也将分享AI时代存储需求增长带来的机遇。

终端设备市场的应用预期

除了数据中心应用，铠侠的新品规划中还包括面向搭载AI功能终端设备的产品线。随着智能手机、个人电脑等设备AI性能的提升，对高性能存储的需求也将持续增加，为新产品的终端市场应用提供广阔空间。

全球NAND存储市场竞争：铠侠技术突破至332层堆叠

今年第一季度，铠侠在全球NAND市场占据13.9%份额，位列三星电子和SK海力士之后。面对AI产业需求激增，铠侠在高性能存储领域取得显著进展，包括第十代BiCS 10 3D NAND的量产部署。

铠侠的技术演进与产品发布

上个月，铠侠在日本岩手县北上市工厂启动第十代3D NAND量产，采用垂直堆叠存储单元技术，实现332层堆叠。NAND存储是一种非易失性半导体存储技术，通过将存储单元在垂直方向堆叠，提升存储密度和效率。基于这一技术，铠侠商用化CM10企业级固态硬盘，支持PCIe 6.0接口，自带控制器并提升性能。

第十代BiCS 10 NAND堆叠层数达332层，CM10 SSD顺序读取性能提升92%，随机读取性能提升约85%。同时，UFS 5.0存储计划今年底量产，数据处理速度约为前代UFS 4.1的两倍，使用第八代NAND技术。

韩国存储企业的竞争态势

三星电子加速尖端NAND开发，上个月量产PCIe 6.0企业级SSD PM1763，搭载第九代V NAND和4纳米制程控制器。UFS 5.0存储已于6月完成开发，预计第四季度量产，提供10.8GB/s数据传输带宽。三星的V10 NAND本月开始量产，预计堆叠层数约430层，采用混合键合技术和3-stack工艺，初期产量受限于设备投资。

SK海力士未在素材中具体提及反应。整体竞争下，AI数据中心和终端设备推动存储需求上升，导致韩日企业NAND技术角逐激烈。

行业影响与未来展望

随着NAND堆叠层数从300层以上迈向更高，AI应用的存储供应链可能出现格局转变。铠侠的BiCS 10技术和三星的V10 NAND，分别代表不同代际规格。全球存储市场对高性能需求的增长，要求企业不断优化数据处理效率和功耗管理。