三星电子重返全球DRAM市场第一 营收份额升至39

8月4日，市场研究机构Counterpoint Research数据显示，三星电子在2026年第二季度以39%的市场份额重返全球DRAM内存市场首位，份额恢复至2024年水平。

市场格局变化

SK海力士以26%的份额位列全球第二，美光以25%的份额排名第三。前三大厂商合计占据90%的市场份额。

“三星电子凭借技术优势和成本控制能力，重新夺回了市场领导地位。”Counterpoint Research分析师指出。

DRAM内存简介

DRAM（动态随机存取存储器）是一种半导体存储器，需要持续供电来维护数据，主要用于计算机、服务器等设备的临时数据存储。

行业影响

业内分析认为，三星电子市场份额的回升可能对供应链产生连锁效应，推动上游企业调整生产策略。截至2026年第二季度，全球DRAM市场呈现集中化趋势。

三星电子2026年第二季度DRAM市场份额重返榜首

三星电子在2026年第二季度以39%的市场份额重夺全球DRAM市场榜首位置，较上一季度增长1个百分点，创下2024年以来新高。

市场表现及原因分析

Counterpoint Research高级分析师Jeongku Choi表示，三星成功克服了过去一年面临的挑战，实现了较去年同期相比的业绩逆转。

这一逆转主要得益于两大因素：受通用DRAM需求增长及产品价格上涨带动，三星在传统DRAM市场的定价优势显著；与此同时，三星在HBM（高带宽内存）市场的份额也在持续扩大。

“三星电子的核心优势在于技术领先与市场布局的协同效应。”

历史背景与行业影响

HBM（高带宽内存）是一种高性能存储器解决方案，广泛应用于高性能计算和人工智能领域，能够提供更大的数据传输带宽和更低的延迟。

三星电子曾于一年前被SK海力士超越，丧失市场份额榜首位置。通过聚焦高附加值产品的市场表现，三星成功扭转了局面。

未来展望

Counterpoint Research预计，随着2026年第三季度预期的进一步涨价，三星的盈利能力有望进一步提升。

SK海力士市场份额下滑：HBM价格与合约策略致营收承压

SK海力士的市场份额从去年同期的39%降至26%。这一下降主要受两大因素影响：HBM价格压力和长期供货协议的价格锁定效应。

HBM价格压力为主要因素

SK海力士的HBM出货量和营收占比高于竞争对手，因此HBM平均销售价格下降对其冲击更为明显。HBM3E价格重新谈判后出现下跌，同时HBM4的推出也出现延迟。

“HBM3E价格重新谈判后出现下跌。”

长期供货协议的效应

SK海力士比竞争对手更早签署长期供货协议，在存储价格上涨周期内，早期锁定的固定价格低于当前市场价格。

未来展望

Counterpoint Research指出，随着搭载英伟达Vera Rubin平台和AMD Instinct MI455X平台的服务器陆续出货，HBM4产品在2026年第三季度开始放量，HBM价格跌幅预计将会收窄。

专业名词解释

HBM（High Bandwidth Memory，高速高带宽内存）是一种高性能的3D堆叠DRAM技术，主要用于数据中心服务器和高性能计算领域。

背景说明

随着AI服务器需求的快速增长，HBM成为存储芯片市场的重要增长点。SK海力士作为全球主要的HBM供应商，其产品策略和库存管理直接影响其市场份额。

美光科技DRAM市场份额增长五倍，年底或超SK海力士

自2023年下半年AI浪潮兴起以来，美光科技（Micron Technology）保持强劲增长态势，其DRAM业务营收自2025年第二季度以来增长约五倍，有望超越韩国SK海力士。

市场份额紧随SK海力士

据最新数据，美光在2026年第二季度以25%的市场份额位居全球DRAM市场第二位，仅落后SK海力士1个百分点。Counterpoint Research研究副总裁Neil Shah指出，这一差距显示美光已逼近领先者。

“自AI兴起到今，美光营收增长迅猛，超越标杆只是时间问题。”Shah表示。

AI浪潮驱动增长

DRAM（动态随机存取存储器）是用于存储数据的关键芯片类型，广泛应用于数据中心、智能手机等设备。随着人工智能计算需求激增，DRAM厂商密集供货高端产品。

美光通过加大产品迭代，在2025年便开始抢占市场，强调高品质与新品储备。市场预测其增长趋势有望持续至年底。

未来发展预期

尽管美光与SK海力士仅差1个百分点，但美光近年增长速度更快。除DRAM以外，美光其他存储产品也在AI需求的推动下加码研发和产能建设。

业内认为，若美光能保持当前季度营收增长速度，其全年市场份额可望进一步扩大。

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