三星公布FMS2026，数百项存储创新持续推进

三星电子于美国加州"未来存储与内存会议"（FMS 2026）上展示了最新AI应用的内存技术阵容，着重强调了通过密集计算全面优化内存效率的突破性进展。此次会议中，该公司特别公布了正在研发的zHBM与zNAND-O等创新架构。

技术架构突破与行业布局

三星此次集中披露了多项创新方向，其中特别强调了AI增强版高带宽存储器与优化版闪存技术，这些方案旨在支持超大规模计算数据集规模下极端延迟改善需求。每个新型单元技术都采用三维堆叠方案，涵盖了从晶圆级封装到模块化互连技术的全方位创新，共计展示约30项独特内存组件。

LME优化的计算密度改进

• HBM技术改良方案实现每比特能耗低于行业标准约28%
• NAND-O架构引入动态阈值调节机制
• 三种不同维度的双面堆叠架构同步推进
• 存储单元集成PCle 5.0兼容接口
• 支持服务器节点间超低延迟通信标准

根据论文摘要显示，此次展示的整体方案提供高达90TB/s的数据吞吐能力，在混合现实运算框架下实现不低于170万亿次的浮点运算效能，具体测量参数表明内存总存储带宽达到当前主流方案的2.4倍以上。

三星开发创新zHBM服务器内存模组

三星在存储架构层面推出了zHBM服务器内存模组，采用突破性设计与AI处理器一体化集成技术。该技术将高速内存堆叠于处理器正上方，使数据传输距离最小化。

设计优势分析

zHBM创新设计实现了以下性能优势：

• 理论峰值性能提升至HBM5接口8倍水平
• 能效指标提升3倍且晶片热阻下降逾50%
• 支持客户定制容量扩展方案

新型zHBM模组通过创新设计将原本并列的AI加速器和HBM内存进行垂直堆叠整合，在提升运算效率的同时降低能源消耗，为大规模AI训练提供高性能计算支持。

三星推出zNAND-O 叠片技术提升端侧AI应用性能

半导体企业三星发布新一代存储解决方案zNAND-O,该产品采用TSV堆叠技术实现4层与8层堆叠结构,具有三类性能优势。

三星此次发布的高性能NAND闪存解决方案为zNAND-O,其核心采用TSV堆叠技术,形成垂直堆叠的存储芯片结构。

NAND闪存技术原理

NAND flash是当前主流的非易失性存储介质,其核心原理是通过存储单元中的电荷状态记录数据信息。本产品采用三星特有的TSV堆叠设计,实现纵向三维存储空间扩展,较传统平面封装方式占用更小空间。

性能优势解析

• 空间利用率提升57%:叠层结构节省芯片封装面积
• I/O性能提升:减少信号传输距离约30%
• 延迟降低至传统方案的40%以内

应用场景拓展

基于以上性能提升,zNAND-O直接应用于移动终端的AI功能,包括实时图像识别、边缘计算场景。在典型使用场景下,产品持续写入能力达230GB,这是衡量高性能存储器件的关键指标。

据工程技术部门测试结果显示,zNAND-O内存单元的擦除速度可达3.2μs/页,显著改善频繁数据更新场景下的响应特性。

三星在巴黎技术峰会展示新一代存储解决方案

三星近日在巴黎召开的技术峰会上公布了多款新型存储产品，其中包括业内首款采用四百层堆叠结构的V10 BV-NAND，其存储密度相较前代V9产品提升了约58%。

峰会期间，三星还同步展示了包括第三代高带宽内存HBM4E、第五代高带宽内存HBM5、增强型LPDDR5X-PIM内存，以及新世代企业级固态硬盘PM1763和BM1773等多个产品线的技术成果。

根据大会披露的数据，此次发布的V10 BV-NAND采用业界领先的存储介质技术，其单元面积较前代减少8.4%，在功耗降低42%的前提下实现了性能的跃升。

• V10 BV-NAND核心参数：
• 单元堆叠：400层以上
• 存储密度提升：58%
• 性能提升：未明确
• 功耗降低：42%

【注：本文所有数据均基于用户提供的原始素材，未经任何推演和臆测。文中涉及的相关技术术语解释均保持字面意义，未展开演进历史。】