SK海力士推出375层堆叠技术新品，晶圆键合技术应用在NAND闪存

SK海力士在FMS 2026峰会期间宣布，继321层V9「4D NAND」后推出新一代闪存产品V10，采用了375层堆叠设计。公司方面明确这是其首款采用晶圆键合技术的NAND产品，标志着存储芯片技术的新突破。

3D闪存堆叠技术解析

3D NAND堆叠技术通过垂直堆叠增加存储单元密度。从321层跃升至375层，这一改进显著提升了存储架构的存储容量与性能表现。垂直方向的层数增加同时保持了晶圆制程尺寸不变，本质是增大了单位晶圆片能容纳的存储单元数量。

3D NAND的核心优势在于在不增加芯片物理尺寸的情况下实现更高的存储密度，该技术路线在近年来已成为各家Flash存储芯片商竞相布局的战略方向。

晶圆键合技术应用

晶圆键合是一种将多片独立晶圆通过特定工艺连接的技术，可以构建具有模块化特征的复杂电路结构。该技术在此前产品中未被采用，因此对于此次V10产品而言属于技术方案的重大创新。应用此技术后的NAND闪存能实现信号传输路径的优化，并显著改善生产良品率。

相较于传统制程，键合技术能解决更小尺寸制程中的连通性挑战，特别适合下一代高密度存储芯片的制造需求。这一技术创新材料表明SK海力士在第三代半导体制造能力的显著跃升。

V系列产品技术流变

SK海力士在移动存储芯片领域自2018年开启3D NAND研发，到2020年推出首代300层产品，至今已经过三代技术跃进：

• V9产品采用321层堆叠架构
• V10产品跨越至行业最高375层堆叠水平
• 晶圆键合技术作为突破性创新首次工程实现

市场观察人士指出，从V9到V10的堆叠层数变化不代表存储密度的线性计算关系，技术改进在单位面积存储容量提升和能耗控制方面将产生协同效应。

NAND产品的性能突破

NAND闪存始终存在随机存取性能不及DRAM、写入寿命有限等技术短板。此次产品升级通过新技术对症下药，有望在以下方面实现产品的性能提升：单位存储单元的读写速度提升；相较于前代产品单位能耗的降低；更高的耐久写入次数设计目标；支持动态电压频率调整的能效控制模块。

工业分析机构預計，随着SK海力士此次技术突破，其下一代移动存储产品的性能参数可能实现显著跃升。具体而言，产品的性能提升预判包括：访问延迟降低达30%+；能耗减少20%+；写入寿命提升至10万亿次写入。

下一代产品战略前瞻

FMS 2026会议作为全球闪存产业发展的重要交流平台，SK海力士的此次技术发布凸显其在下一代存储技术赛道的战略布局。基于当前技术演进路线，业界普遍认为375层会是约两年内的普遍技术水平，而各家厂商尚未公布在400层以上的布局。

相较前代产品，新款V10引发业内对其后续产品线业绩指引的重视。市场分析师指出，晶圆键合技术的商用化进程决定了KH现在的技术路标储备是否领先于竞争对手，这将直接影响其下一代产品的市场接受度。

在高度竞争的闪存芯片细分市场，厂商之间的产品迭代速度将进一步加快。SK海力士此次提出的下一代产品设计方案若能如期量产，或将在未来密集上市的产品周期中占据先发优势。

SK 海力士发布 V10 NAND，实现性能提升

SK 海力士近日宣布，其新型 V10 NAND 产品实现了上代产品的每瓦性能提升 2.5 倍，该产品专为 AI 基础设施环境中的能效与性能平衡需求而设计。

产品特点与性能

此次发布的 V10 NAND 包含 1Tb TLC 晶圆及两款成品颗粒：32DP 2CH 型号堆叠了 32 个 NAND Die，是首款此类封装的 TLC 产品；另有一个 4 通道封装版本，尺寸紧凑，仅为 13.5mm × 12.5mm，小于传统的 14mm × 18mm 封装尺寸。

SK 海力士 V10 NAND 实现上代产品每瓦性能提升 2.5 倍，专为 AI 基础设施环境而优化。

量产计划与技术展示

SK 海力士计划于 2027 年上半年量产基于 V10 NAND 的企业级固态硬盘，为 AI 行业提供高性能固态硬盘产品支持。

• 32DP 2CH 型号堆叠 32 个 NAND Die
• 4 通道封装尺寸更小，仅为 13.5mm × 12.5mm
• 2027 年上半年将开始量产企业级固态硬盘

SK海力士推出UFS 5.0解决方案 提升能效19%

2023年，SK海力士展示了其最新的高性能存储解决方案，重点在于基于V9H 1Tb TLC NAND闪存的UFS 5.0产品。

UFS 5.0新品发布

SK海力士公布的UG500解决方案具备512GB及1TB两种存储容量选项。该产品核心亮点在于实现的能效水平较UFS 4.1标准有了明显提升。在功耗降低的基础上，其数据传输性能亦有所加强，这是在保持设备能耗指标的同时的数据性能提升。

TLC NAND技术解析

TLC（Triple-Level Cell）是NAND闪存存储单元结构的一种，每个存储单元负责保存三位数据信息。相较于单层单元的SLC架构，这种技术能提供更高的存储密度。但相较于MLC结构，则在耐久度方面有所调整。

LPDDR6动态跟踪

同步推出的还有采用1c nm制程、16Gb芯片封装的下一代LPDDR6存储颗粒。这些内存单元展现出更高的带宽表现，同时维持低功耗运行状态，为移动设备提供更佳性能支持。

符合近期移动设备升级换代需求的存储技术选择，提供全新接口规范与能效平衡方案。

SK海力士推出首款PCIe Gen5 QLC固态硬盘
PQF02系列支持多种M.2规格

SK海力士本月推出了首款PCIe Gen5 QLC规格的固态硬盘PQF02系列。这款产品采用新型V9 QLC NAND闪存芯片，提供标准的1TB与高容量2TB版本选择。

核心特性解析

PQF02固态硬盘采用4通道主控架构，完全适配PCIe Gen5 32GT/s技术规范。官方数据显示，产品的理论读取速度可达180GB/s，全盘传输性能较上一代技术有显著优化。

产品规格说明

• 存储容量选项：1TB×2
• 接口标准：PCIe Gen5 ×4
• 封装规格：支持2230、2242、2260到2280全系列M.2尺寸
• 工作温度范围：0°C至70°C

QNAND技术解析

V9 QLC 3D NAND属于SK海力士第三代QLC闪存技术，堆叠层数达100层。这种架构的三维立体存储单元结构，能大幅提升存储单元的存储密度，同时保持写入寿命指标在10万次级别。

存储架构设计

这款企业级固态硬盘采用了整机封装技术，通过独特的封装设计进一步优化热管理性能。每通道支持高达64-bit ECC纠错，三重错误校正机制确保数据完整性。全系列型号均内置写入放大控制算法优化，有效减轻后台垃圾回收带来的性能波动。

SK海力士PQF02系列固态硬盘全面支持NVMe 2.0规范，在满足极端工作负载需求同时，实现功耗比上代技术降低30%的成绩，为计算密集型数据中心场景提供存储升级新选择。