SK海力士计划2027年将大连NAND闪存工厂产能提升50

为满足全球市场对NAND闪存的持续需求，半导体巨头SK海力士持续向其位于中国的NAND闪存制造基地追加资本、人力及战略资源投入。据最新报道，SK海力士计划在2027年将其位于中国大连的工厂产能大幅提升50%。该工厂由SK海力士旗下的NAND业务子公司Solidigm运营，随着本次扩产规划的推进，这项目前已冻结四年的中国大陆扩张计划也正式宣告重启。

NAND业务的战略地位

NAND闪存是一种非易失性存储器，广泛应用于智能手机、固态硬盘等消费电子产品中。SK海力士通过收购Intel的NAND业务组建Solidigm子公司，进一步强化了其在NAND领域的市场地位。

大连工厂扩产计划

根据规划，SK海力士大连工厂的产能将在2027年实现50%的增幅。这一扩产计划标志着SK海力士自2019年以来冻结的中国大陆扩张战略正式重启。业内人士指出，此举将有助于缓解全球NAND闪存市场的供应压力。

“随着本次扩产规划的推进，这项目前已冻结四年的中国大陆扩张计划也正式宣告重启。”

Solidigm的运营管理

Solidigm是SK海力士旗下的NAND业务子公司，负责运营大连工厂。这家公司整合了SK海力士原有的NAND技术优势与Intel的存储解决方案，致力于提供高性能的NAND闪存产品。

市场影响

扩产计划的实施将直接增加中国市场乃至全球市场的NAND闪存供应量。产能提升有助于稳定市场价格，并满足日益增长的消费电子和数据中心存储需求。

SK海力士子公司Solidigm扩产计划公布 月产能将提至15万片晶圆

SK海力士旗下存储业务子公司Solidigm宣布扩产计划，大连工厂NAND闪存月产能将从当前的10万片晶圆提升至2027年的15万片晶圆。

Solidigm产能与技术升级

扩产计划中，Solidigm将引入浮栅架构的3D QLC NAND闪存生产。该技术单芯片存储层数将突破200层，主要面向企业级市场提供多TB级SSD产品。

企业级客户是高性能存储解决方案的主要消费群体。

浮栅（Floating Gate）是一种NAND闪存技术，通过在栅极中存储电荷实现数据保存。

市场供需与扩产意义

行业预计全球NAND闪存市场2027年将实现供需平衡。大连工厂新增产能虽占整体需求较小比例，但仍构成市场供给补充。

• 大连工厂当前月产能：约10万片晶圆
• 2027年扩产后月产能：约15万片晶圆
• 3D QLC NAND芯片存储突破：200层

上市计划与资本战略

SK海力士正筹划推动Solidigm赴美上市，计划登陆纳斯达克资本市场。IPO所筹资金将为后续产能扩张提供资本支持。

此次扩产在全球庞大的存储市场需求背景下提供供给支撑，同时也反映了SK海力士在NAND闪存领域的战略布局持续进行。