摩根大通预测：HBM供需缺口至2028年仍存约22

8月13日，摩根大通发布最新预测指出，到2028年，高带宽内存（HBM）的供需缺口预计仍有约22%。这一预测表明，即使到2028年，HBM的供应也无法完全满足市场需求，供应紧张态势可能在2029年依然存在。

高带宽内存的概念

HBM是一种用于高性能计算和人工智能领域的特殊内存技术，其特点在于极高的数据传输带宽和能耗效率。

供需缺口的影响

供需缺口的存在可能对相关产业链造成影响，包括芯片制造商、计算设备生产商等。同时，这也可能推高HBM相关的产品成本。

摩根大通上调存储芯片市场预测 AI需求推动价格与出货增长

据报道，摩根大通在8月10日发布的研究中指出，人工智能（AI）应用的需求将成为存储芯片市场增长的重要驱动力，并将推动存储芯片价格和出货量同步增长。基于此，摩根大通将2026年至2028年全球存储市场规模预测上调4%至8%。

市场规模预测上调

根据摩根大通的最新预测，全球存储市场规模预计将由2026年的约9690亿美元增至2027年的1.44万亿美元，进一步增长至2028年的1.82万亿美元。

“这表示，HBM供需短缺未来两年仍将持续，2027年可能会进一步恶化，2028年仅小幅缓解。”

HBM供需短缺持续

HBM（High Bandwidth Memory）是一种高速存储芯片，用于满足高强度数据处理需求，尤其是在人工智能和数据中心领域。目前，HBM的供需状况仍然紧张，摩根大通预测未来两年内这种短缺将持续。具体来看，2027年HBM供需短缺可能会进一步恶化，而到2028年，短缺情况可能仅能实现小幅缓解。

在HBM供给方面，摩根大通预计，明年客户需求与供应之比仍只有70%至80%。这意味着，未来的存储芯片市场将面临一定的供应压力，进一步拉大需求与供给之间的差距。

多家机构预测存储行业供应将持续紧张 至少至2028年

据CNMO科技报道，多家主流机构与研究公司一致认为，存储行业的供应紧张态势将延续较长时间。高盛、SK海力士、集邦咨询等机构均提出类似判断，预计从2027年到2028年，市场供需关系难以缓解。

高盛预测供需紧张持续至2028年

高盛在5月31日发布的研究报告中分析，到2027年，传统DRAM、NAND以及高端HBM的供需状况会更加紧张。该报告预计，这种紧张局面将一直持续到2028年，即使在2028年新产能陆续投放后，市场仍需时间逐步走向平衡。

“供应紧张态势有望在2028年新产能陆续到位后逐步缓解。”

SK海力士预警供应最严峻时期

SK海力士CEO也公开警示行业，2027年将成为存储行业历史上供应最为严峻的一年。该公司内部评估认为，这一紧张状态甚至可能延续至2030年之后，远超此前市场普遍预期的时间跨度。

集邦咨询分析HBM供给缺口

集邦咨询（TrendForce）对高性能存储芯片HBM（高带宽内存）的供应链进行了专门分析。该机构指出，HBM的供给缺口预期将一直持续至2027年，未来两年内市场供给仍难以满足快速增长的需求量。

• 传统DRAM、NAND和HBM的供需紧张预计到2027年加剧
• 新产能投放时间点集中在2028年
• HBM供给缺口可能延续至2027年

HBM是一类针对高端芯片的高速存储模块，因其在人工智能和数据中心应用中的关键作用而备受关注。行业分析认为，这种技术需求快速增长是导致供应紧张的核心原因。