Jefferies：全球存储价格Q3起延续涨势，2027年全年涨幅预计达40%至45

据Jefferies最新发布的研究报告，全球存储芯片价格在2027年下半年将维持大幅上涨态势。该机构通过专家会议信息研判，季度与年度价格均呈显著上行轨迹。

季度环比涨幅持续扩大

报告显示，存储价格在第三季度（Q3）的环比涨幅预计为40%至50%，进入第四季度（Q4）后涨幅有所收窄，但仍将保持在30%至40%的区间。两季度合计涨幅反映出供应商议价能力持续走强。

全年同比涨幅与回落预期

Jefferies给出的2027年全年预测显示，存储产品价格较上年同比上涨40%至45%，创下近年的价格攀升周期。报告同时指出，市场供需缓解的信号要到2028年才会出现。

“缓解信号要到2028年才出现。”

行业解读与供需背景

这轮涨价周期中，需求端支撑来自AI数据中心与智能手机存储升级两大领域，但供给端产能扩张节奏缓慢，导致供需缺口持续扩大。这意味着存储芯片制造商在议价环节具备更强主动性。

Jefferies作为全球性投资银行，其发布的半导体产业研报被市场视为重要参考指标。本次专家会议调研覆盖了供应链上下游多位管理者，对价格走势的判断具有较高确定性。

Jefferies与Aletheia对HBM价格走势现分歧 2028年前供需缺口判断一致

投行Jefferies与Aletheia Capital在HBM（高带宽存储器）短期价格预测上出现明显分化，前者给出的涨幅预期近乎后者两倍，但两家机构对“2028年前市场无解”的判断保持高度一致。

价格预测：四季度预期相差逾三成

根据最新研报，Jefferies预测HBM在Q3上涨约30%、Q4将再上涨10%-15%，两个季度合计涨幅在40%-45%之间。对比之下，Aletheia Capital给出的是Q3涨30%、Q4涨10%-15%的节奏，Jefferies在Q4的预期幅度明显更高。

不过两家对"2028年前无解"判断一致。2028年随着产能释放，均价可能温和下跌15%-20%。

两家机构均认为，在2028年之前，HBM市场将维持供不应求格局。随着届时新增产能逐步释放，均价可能出现15%-20%的温和回调。

中国扩产：前三星高管预估2027下半年新增600万片/月

中国产能扩张为另一关键变量。据一位前三星高管预测，中国厂商有望在2027年下半年实现600万片/月的产能新增。

但该专家同时指出，中外在制造工艺上仍存在代际差距，因此2026年至2027年间，中国扩产对全球市场的实际影响较为有限。真正的市场冲击预计要等到2028年才会显现。

HBM背景说明：高带宽存储器的核心作用

HBM（高带宽存储器）是一种通过硅通孔技术将多层DRAM芯片垂直堆叠，并与GPU或CPU紧密封装的新型存储方案。其核心优势在于提供远超传统DDR内存的带宽，同时显著降低功耗与占用空间，目前主要应用于AI训练与高性能计算场景。

市场影响：预期差或加剧短期交易波动

Jefferies与Aletheia Capital在短期价格节奏上的预测分歧，反映出市场对HBM供需拐点尚未形成统一预期。这种预期差可能在未来两个季度内转化为更频繁的股价与合约价波动，令下游客户与上游供应商的库存管理策略面临更大不确定性。

内存SSD显存涨价压力预计持续传导至终端零售价

对于普通消费者而言，内存、固态硬盘（SSD）及显存等核心存储与图形部件所面临的涨价压力，将在今明两年内持续向终端零售价传导。这一趋势意味着相关电子产品的购买成本可能进一步上升。

涨价压力的传导逻辑

根据市场信息，上游生产成本增加会沿着供应链逐步传递至零售环节。在内存、SSD与显存领域，原材料成本与产能波动是影响终端定价的关键因素，其价格变动最终会反映在消费者可购买的产品标价上。

“对消费者而言，今明两年内存、SSD、显存涨价压力将持续传导至终端零售价。”——原始素材表述

涉及的三种存储部件

• 内存（DRAM）：计算机中用于临时存储运行数据的高速存储器，其容量与速度直接影响系统响应和多任务处理能力。
• SSD（固态硬盘）：采用闪存芯片作为存储介质的硬盘，读写速度远高于传统机械硬盘，是当前电脑与服务器的核心存储设备。
• 显存（VRAM）：显卡上专门用于处理图形数据的存储器，负责缓存纹理、帧缓冲等视觉信息，对游戏和图形渲染性能至关重要。

对消费者的直接影响

上述三种部件的涨价压力，意味着消费者在未来两年内购买新电脑、升级硬件或采购显卡时，可能需要支付更高的零售价格。这一压力已从上游晶圆制造环节逐步显现，并将持续影响终端市场的价格走势。