长鑫存储2026年末有望超美光跻身全球DRAM供应商第三
美国头部半导体分析机构SemiAnalysis近期发布万字深度调研报告。报告针对存储芯片产业输出明确推演,指出国内DRAM领域的龙头企业长鑫存储(CXMT)具备在2026年末完成对美光反超的条件。
主体属性与数据口径解读
SemiAnalysis系美国头部半导体分析机构。长鑫存储(CXMT)在素材中被明确界定为国内DRAM领域的龙头企业。报告基于两者在产业链中的定位输出对比结论。
长鑫存储(CXMT)有机会在2026年末完成对美光的反超,跻身全球第三大DRAM供应商行列。
该预测将时间基准锁定于2026年末。以“全球第三大”作为排序指标,直接反映存储芯片市场份额的排名逻辑。若该节点如期实现,意味着国内存储产能在国际市场中的占比将发生实质性位移。
- 核心时间节点:2026年末
- 对比参照对象:美光
- 目标市场位次:全球第三大供应商
全球DRAM供应商排名的潜在更迭,将直接影响国际半导体存储市场的供给结构。该数据口径为产业链上下游提供了明确的份额变动预期。
这家企业2026年第一季度营收达到508亿元,同比涨幅高达719.13%,SemiAnalysis据此推算,长鑫存储2026全年营收将突破500亿美元,折合人民币约3400亿元。 在营收实现爆发式增长的同时,长鑫存储的盈利表现同样十分亮眼,2026年第一季度的利润率约为70%。 值得注意的是,长鑫存储在2025年就已经首次实现全年盈利,当年净利润达到18.75亿元,整体毛利率为41.02%。
长鑫存储规划至2028年DRAM月产能达50万片拟募295亿元
长鑫存储披露了晶圆制造产能的扩张路径,同时明确科创板IPO募集资金的主要投向。分析机构评估指出,当前估值水平与企业实际产能扩张节奏存在偏离。
DRAM产能扩张与市场份额预期
根据产能维度规划,长鑫存储计划在2026年底前实现每月35万片12英寸等效晶圆的制造产能。至2028年,该月产能数字将进一步提升至50万片。伴随产能释放,其在全球DRAM市场的占有率预计将从2025年的11%攀升至约17%。
在募资安排方面,长鑫存储原计划通过科创板IPO募集295亿元人民币。资金分配方案显示,募集资金中约70%将直接投入晶圆制造产能扩张与DRAM相关技术的迭代升级环节。
HBM产能布局与良率挑战
在AI产业核心需求指向的高带宽内存赛道,长鑫存储目前仍面临产能瓶颈。现阶段其HBM月产能维持在5000片左右,且HBM3 8-hi版本的量产环节正遭遇良率层面的技术挑战。
该分析机构同时指出,长鑫存储当前的IPO估值明显偏低,完全没有匹配其实际盈利能力、当前行业地位以及后续的扩张节奏。
- 12英寸等效晶圆:指将不同规格晶圆产能按面积折算为12英寸标准的统一计量单位,用于横向对比产线规模。
- HBM3 8-hi:指采用8层存储芯片垂直堆叠架构的第三代高带宽内存产品,属于AI算力加速的关键组件。
行业研究机构SemiAnalysis预测,经过技术攻关与产线爬坡,长鑫存储的HBM晶圆月产能有望在2028年达到10万片规模。届时,该产品在全球市场的占比预计将提升至12%。
结合295亿元的募资规模与70%的产能投入比例,长鑫存储正通过资本运作加速高端存储产品的技术迭代与规模释放,以应对AI算力基础设施对高带宽内存的需求缺口。

长鑫存储位列全球第四大DRAM厂商 巩固国产存储核心资产地位
长鑫存储目前在半导体存储领域明确占据全球第四大DRAM厂商的梯队位置。该排名确认了其在国际存储市场中的份额区间与产能规模。
国产存储战略资产定位明确
在产业属性界定上,长鑫存储被明确划归为国产存储赛道的核心战略资产。这一身份表明其在支撑国内半导体供应链基础环节方面承担着关键载体职能。
长鑫存储已经稳居全球第四大DRAM厂商的位置,作为国产存储赛道核心战略资产的定位已经十分稳固。
技术口径与市场结构
- DRAM全称为动态随机存取存储器,是半导体存储器的主要类型之一,广泛应用于各类计算设备的基础运行。
存储芯片作为基础算力硬件,其梯队排名的确立将直接带动国内服务器与消费电子供应链的硬件供应结构向自主化方向调整。
