三星、SK海力士、美光在美被控合谋操纵DRAM价格

近日，三星、SK海力士和美光三家存储芯片巨头在美国遭到集体诉讼，原告指控其合谋操纵DRAM（动态随机存取存储器）市场价格，人为制造所谓的“内存末日”。原告方代表近年购买含传统DRAM产品的消费者及企业。

指控核心：借HBM转型之名削减旧款内存产量

根据诉讼文件，三家公司被控借“向HBM（高带宽存储器）转型”之名，协同削减DDR3和DDR4等旧款内存的产量，刻意营造供应短缺局面。HBM是一种高带宽、低功耗的内存技术，多用于AI加速器；而DDR3、DDR4为较早世代的内存标准，仍广泛用于PC、服务器等领域。

原告方表示，三巨头的协同减产行为导致旧款DRAM价格异常上涨，消费者和企业不得不支付更高成本。

对行业影响：若指控成立或重塑定价规则

业内人士指出，DRAM市场长期由三星、SK海力士、美光三家主导，其产能决策直接影响全球供需格局。此次诉讼若获法院支持，可能迫使三巨头重新评估其产能调配策略，并对存储芯片行业的定价透明度提出更高要求。

• 原告范围：包括过去数年购买搭载传统DRAM产品的个人消费者及企业用户。
• 涉案产品：涵盖DDR3、DDR4等旧款DRAM芯片，而非最新HBM产品。
• 诉讼地点：美国联邦法院，具体案由为反垄断与合谋定价。

三星半导体面临HBM产能争议，挤占效应成法律诉讼焦点

一则关于半导体产业的诉讼近日引发关注，其核心争议点指向高带宽存储器（HBM）对传统DRAM生产资源的挤占问题。随着HBM需求激增，相关产能分配矛盾正在产业链内浮现。

HBM物理尺寸导致晶圆消耗翻倍

诉讼文件显示，HBM芯片的物理尺寸约为标准DDR芯片的两倍。具体而言，单颗HBM3E的面积相当于DDR的两倍，这意味着每生产一颗HBM芯片，便需消耗双倍晶圆资源。这一技术特性构成了诉讼中产能挤占论调的关键事实依据。

诉讼中的技术依据：单颗HBM3E的物理面积是DDR的两倍，晶圆消耗量相应翻倍。

2026年HBM产能占比预期达25%

行业预测数据显示，HBM在DRAM晶圆总产能中的占比将持续快速上升。预计到2026年，HBM将占全球DRAM晶圆产能的约25%。与此同时，HBM的年需求增速高达70%。

• HBM物理尺寸：约为标准DDR芯片的两倍
• 晶圆消耗：单颗HBM3E的晶圆消耗量是DDR的两倍
• 2026年产能占比：HBM预计占全球DRAM晶圆产能约25%
• 需求增速：HBM年需求增长率为70%

美国消费者集体诉讼指控三星、SK海力士等操纵DRAM价格 四年涨幅约700%

美国消费者日前提起集体诉讼，指控三星、SK海力士及原尔必达（已并入美光）在DRAM市场存在协同减产行为，导致消费级内存价格在过去四年间上涨约700%。原告认为，三家企业在传统DRAM产能增幅仅10%的背景下，选择将产能转向利润更高的HBM（高带宽存储器），而非同步扩产以填补缺口，构成事实上的协同操纵。

产能转向：HBM转型背后的供需缺口

根据诉讼材料，同期DRAM总产能增长了14%，但传统DRAM产能增幅仅为10%。这种“剪刀差”直接引发了消费级内存的供应缺口。原告指出，三家企业本可同步扩大传统DRAM产量以平衡市场，却选择将生产线调整至HBM领域，从而实现了协同减产的效果。

“DRAM总产能增长14%，传统DRAM产能增幅仅10%，这一剪刀差直接引发消费级内存供应缺口。”

HBM（高带宽存储器）是一种基于3D堆叠工艺的高性能DRAM，主要用于AI加速器和高性能计算，利润远高于传统消费级内存。在AI需求爆发的背景下，头部厂商优先将产能分配给HBM产品，客观上压缩了传统DRAM的供应量。

终端售价传导：苹果近期上调iPad和Mac售价

DRAM涨价的影响已经传导至终端消费市场。诉讼指出，苹果近期上调了iPad和Mac系列产品的售价，这一行动被视为价格传导机制的典型例证。消费者表示，内存成本上升最终由普通用户承担，而涉案企业则通过产品结构调整规避反垄断审查。

历史旧账：三家曾因价格操纵认罚7.31亿美元

诉讼翻出了三家公司20年前的旧案。2005年，三星电子曾就价格操纵向美国司法部认罪，被罚3亿美元；SK海力士同样认罪，被罚款1.85亿美元；加上原尔必达的罚金，三家总罚金高达7.31亿美元，期间多名高管入狱服刑。原告指控，彼时三星、SK海力士及尔必达通过协调产量与报价操控市场，如今不过是换上了“HBM转型”的新包装，实质仍是联手限制传统DRAM的供应。

• 三星电子：2005年就DRAM价格操纵认罪，罚款3亿美元
• SK海力士：同期认罪，罚款1.85亿美元
• 原尔必达：累计罚金使总金额达到7.31亿美元

DRAM价格四年累计上涨约700% 中国反垄断诉讼直指三大存储巨头定价机制

2025年2月，一起针对全球存储芯片巨头三星电子、SK海力士及美光科技的反垄断民事诉讼在中国市场引发广泛关注。该案由国家市场监管总局在2024年启动调查后进入司法程序，原告方指控三家企业在DRAM（动态随机存取存储器）领域存在价格合谋行为。

根据起诉材料，自2021年初至2025年初，DRAM市场价格经历了多轮上涨，累计涨幅约700%。以一款主流8Gb DDR4颗粒为例，其价格从2021年一季度的2.5美元上涨至2025年一季度的20美元左右。

诉讼指控：三大巨头被指通过“产能协同”操纵价格

原告在诉状中指出，三家企业利用其在DRAM市场的寡头地位，定期通过行业会议、财报电话会等渠道交换产能规划信息，进而达成“协同减产-控制供给-拉升价格”的操作模式。这一行为涉嫌违反《中华人民共和国反垄断法》第十三条关于禁止达成横向垄断协议的规定。

“三家公司在全球DRAM市场的合计份额长期维持在95%以上，具备实施协同行为的能力和动机。过去四年中，每一轮价格大幅上涨之前，都存在公开且近似的减产声明。”原告代理律师在声明中表示。

被告方则回应称，DRAM行业的供需波动属正常市场竞争行为，价格涨跌主要受制于半导体制造的周期性特征以及数据中心、AI服务器等下游需求的爆发。

定价机制解析：寡头市场下的“默契式”报价

业内人士对DRAM市场的定价流程进行了拆解。该行业通常采用季度合约价模式，即每季度由三家供应商与大型OEM客户进行谈判，最终形成的价格往往相互参照，差异极小。

• 定价参考：某一家公司的报价往往成为其他两家的参照基准，最终三方报价高度趋同。
• 减产信号：单一公司宣布减产计划后，市场立即预期供应收紧，其余两家在下一轮报价中同步提价。
• 渠道控货：现货市场中，三大厂商通过控制代理商的出货节奏，进一步强化价格预期。

这种机制被原告方认定为“无需书面协议即可达成的默契垄断”。

中国市场与全球影响：罚单能否撼动定价逻辑

中国市场是全球最大的DRAM消费市场，每年消费量约占全球总量的40%。此次诉讼提出的诉求包括停止滥用市场支配地位行为，并退还过去四年中因垄断高价产生的超额利润。

对此，一位半导体行业分析师表示：“即便法院认定其存在垄断行为并处以罚款，对三家公司的实际利润影响可能较为有限。真正改变定价权格局的，仍取决于是否有新的竞争者能够实质性地扩大产能并打入市场。”该观点基于过去十年内全球主要反垄断案件中对半导体行业制裁后的市场表现数据。