盛吉盛先进半导体项目签约无锡惠山高新区 导入两款12英寸薄膜沉积设备
6月17日,盛吉盛先进半导体产品孵化与制造中心项目正式签约,落户无锡惠山高新区洛社镇。项目将在惠山先进制造产业园内建设先进产品孵化中心,一期面积约6000平方米。
先期导入两款核心设备 规划年产值超1.5亿元
根据签约内容,盛吉盛将先期导入两款先进12英寸薄膜沉积设备。薄膜沉积设备是半导体制造中用于在晶圆表面形成薄膜层的关键装备,其精度直接影响芯片性能。
项目规模量产后,预计实现年产值1.5亿元以上。
项目背景与落地逻辑
盛吉盛此次选择在惠山高新区建设孵化中心,旨在依托园区产业配套与政策环境,加速半导体设备从研发到量产的转化。一期面积约6000平方米的孵化中心,将作为后续产能扩张的起点。
- 项目地点:惠山高新区洛社镇
- 一期面积:约6000平方米
- 先期产品:两款先进12英寸薄膜沉积设备
- 产值目标:规模量产后年产值1.5亿元以上
