SK海力士与三星电子股价盘中大跌逾5%，韩国KOSDAQ指数触发熔断

今日早间，韩国股市开盘后，存储芯片两大巨头SK海力士与三星电子股价出现直线跳水，盘中跌幅一度超过5%。受此影响，韩国综合股价指数（KOSPI）一度大跌超3%，韩国交易所随即启动KOSDAQ指数熔断机制，暂停程序化买入5分钟。

股价异动与市场波动

据公开交易数据显示，SK海力士与三星电子在开盘后短时间内遭到大额抛售，股价快速下滑，盘中最大跌幅均超过5%。两大个股的下挫拖累KOSPI指数扩大跌幅，一度下跌超过3%。韩国交易所为平抑市场波动，在KOSDAQ指数层面启动熔断机制，暂停程序化买入指令5分钟。

熔断机制的角色

熔断是交易所为防止市场过度波动而设置的临时措施。根据韩国交易所规则，当KOSDAQ指数出现特定幅度的快速下跌时，交易所将暂停程序化买入订单，以减缓卖压传导速度。本次暂停程序化买入持续5分钟，旨在为市场提供冷静期。

“今日早间，韩国股市开盘后，存储芯片巨头SK海力士、三星电子股价直线跳水，盘中一度大跌超5%，韩国KOSPI指数一度大跌超3%。韩国交易所启动KOSDAQ指数熔断机制，暂停程序化买入5分钟。”——素材原文

影响解读

SK海力士与三星电子股价同时大幅走低，显示市场情绪出现剧烈波动。两大存储厂商的市场权重较高，其股价走势对韩国指数形成直接拉动。本次盘中急跌叠加熔断触发，表明盘面短期内承受了较强的卖盘压力，后续走势仍需关注两大公司可能的官方消息。

三星与SK集团拟投资2000万亿韩元 布局半导体和AI基础设施

韩国股市开盘后，SK海力士与三星电子股价出现跳水，截至北京时间6月29日早间08:45，SK海力士下跌4.6%，三星电子下跌4.9%，韩国KOSPI指数大跌2.47%。日本日经225指数亦下跌1.23%。市场波动之际，三星集团与SK集团即将在韩国总统府公布一项未来十年的投资方案，最高规模达2000万亿韩元（约合人民币8.8万亿元）。

投资方案核心内容：半导体制造集群与AI布局

据《韩国经济日报》周一报道，三星集团与SK集团的领导层预计将于当日在总统府提交投资计划，该方案作为韩国总统李在明旗舰产业战略的一部分。报道称，三星电子和SK海力士预计将在光州地区各自建设四到五座半导体制造厂，三星还将在忠清南道建设芯片封装厂，SK海力士将在忠清北道扩建NAND闪存工厂。

韩国总统府28日表示，李在明将于下午2点举行活动，介绍“大飞跃三大超级项目”。总统发言人姜由桢透露，产业通商资源部、科学技术部、气候部和国土交通部官员将首先阐述政府政策措施，随后三星和SK集团将介绍各自的投资计划。

“最新报道指出，未来10年的总投资承诺高达2000万亿韩元，这一数字超过了《每日经济新闻》此前的报道，该报道称仅三星一家就预计将宣布超过1000万亿韩元的投资计划。”

韩股杠杆风险：中金研报提示强平压力抬升

中金公司最新研报指出，综合来看，韩股当前场内杠杆倍数在2x~5x左右，绝对杠杆已至历史高位，但相对市值比例横纵向对比都算不上极致，市场情绪和流动性指标略显紧张但不显著。往前看，高杠杆会放大波动，甚至带来流动性压力，如下跌16~36%会触发保证金追缴，近期强平压力抬升，但中长期趋势更多取决于基本面。

• 保证金追缴：指投资者使用杠杆买入股票后，当股价下跌导致亏损达到一定比例时，券商要求投资者追加保证金或面临强制平仓的制度。
• 文中提及的“16~36%”下跌区间为触发追缴的阈值范围。

AI驱动全球存储芯片结构性变革

当前全球半导体行业正经历由AI驱动的根本性结构变革。美光科技最新季度业绩表明，制造专为AI优化的存储芯片所需产能是传统计算产品的3—4倍。Aletheia Capital大幅上调DRAM、HBM价格预期，预计2026年第三季度DRAM平均售价将上涨30%，远高于此前预估的10%—15%；HBM平均售价到2027年可能每年翻一番。报告指出，内存正成为AI硬件系统中最关键的部件，其综合价值占比将从2025年的约40%升至2027年的超70%。

摩根士丹利报告指出，受AI数据中心需求持续增长推动，硬盘及存储全产业链供需紧张程度超出预期，短缺局面或至少持续至2028年，打破此前“2027年缓解”的预期。

“美银证券高级半导体分析师Vivek Arya表示：‘没有存储芯片，就没有人工智能。’他预计AI内存的供需失衡至少会持续到明年年底，并提到美光已宣布与16家不同客户达成里程碑式协议，提供多年价格、数量和供应方面的可见性。”

政府政策提速：AI芯片需求呈“指数级增长”

据此前报道，韩国总统办公室政策室长金容范6月24日宣布，政府与三星电子、SK海力士就未来的新半导体集群选址规划已进入最后讨论阶段，即将最终敲定。金容范指出，由于AI行业对芯片的需求呈现“指数级和爆炸性增长”，两家公司现有的龙仁半导体集群建设进程将大幅提前。