SK海力士在HPE Discover 2026展出Vera Rubin结构模型及HBM4实物

SK海力士于6月15日至18日在拉斯维加斯威尼斯人会议中心举办的HPE Discover Las Vegas 2026（HPED 2026）上，搭建了英伟达下一代AI平台Vera Rubin的内部结构模型，并围绕该模型陈列了三款HBM内存实物产品。

展出产品与布局

展会现场，SK海力士展示了16层48GB HBM4、12层36GB HBM4以及12层36GB HBM3E的实物，直观呈现这些内存芯片在Vera Rubin平台中的安装位置。

HBM（高带宽内存）是一种通过垂直堆叠多个DRAM芯片并利用硅通孔技术实现高数据吞吐量的内存标准，主要用于加速AI计算。

展会背景

HPE Discover Las Vegas 2026是惠普企业每年举办的全球技术会议，聚焦AI、云计算与网络基础设施的变革趋势。SK海力士参与该展会，旨在向行业展示其面向下一代AI平台的内存解决方案。

• 16层48GB HBM4：当前最高层数与最大容量的HBM4产品。
• 12层36GB HBM4：相比HBM3E在带宽与容量上均有提升。
• 12层36GB HBM3E：SK海力士现有的高性能内存产品。

业界分析认为，SK海力士通过实物与模型结合的方式，能够更直接地向潜在客户说明HBM4在Vera Rubin中的适配性，从而提前锁定下一代AI基础设施的内存订单。该平台本身定位为英伟达下一代AI计算核心，其内存配置需求将直接影响HBM4的商用节奏。

SK海力士展出CMM-DDR5及3D堆叠RDIMM内存产品线

在展会现场，SK海力士展示了其最新内存产品线，涵盖面向数据中心与AI服务器的多个系列，其中CMM-DDR5产品线及业界最大容量的256GB 3D堆叠式RDIMM产品同步亮相。

CMM-DDR5产品线：两代平台与池化方案

HBM展台正后方展示了CMM-DDR5产品线，包括采用第一代CXL 2.0+平台的128GB产品，以及面向第二代CXL 3.2平台的256GB产品。此外，搭载SK海力士CMM-DDR5的Liquid CXL池化内存服务器也同台展出。

CXL（Compute Express Link，计算快速链接）是一种开放标准的高速互连协议，允许CPU、内存和加速器之间实现高效数据共享与内存池化。

服务器DRAM与AI专用模块

服务器DRAM展台展出了业界最大容量的256GB 3D堆叠式RDIMM产品，该模块采用TSV（Through Silicon Via，硅通孔）技术垂直连接DRAM芯片，通过堆叠结构提升存储密度。

现场还展示了128GB、96GB和64GB等容量的DDR5 RDIMM产品线，以及192GB SOCAMM2 AI服务器内存模块。SOCAMM2是SK海力士基于LPDDR的量产产品。

• CMM-DDR5：适用于CXL平台的内存模块，支持内存池化。
• 3D堆叠式RDIMM：通过TSV技术实现垂直芯片连接，增加容量。
• SOCAMM2：AI服务器专用内存模块，基于LPDDR架构量产。

SK海力士亮相HPE认证企业级SSD PS1010 搭载176层4D NAND闪存

在近期的一场行业会议中，SK海力士展出了一款已通过HPE认证且实际部署于服务器系统的数据中心级固态硬盘——PS1010 E3.S eSSD。该产品基于176层4D NAND闪存技术，目前正与64GB DDR5 RDIMM内存模组配套向HPE供货。

产品技术细节与供货进展

PS1010 E3.S eSSD属于数据中心级产品，采用E3.S外形规格。其核心存储介质为SK海力士的176层4D NAND闪存，该技术通过将外围电路置于单元下方，在提升存储密度的同时缩小芯片面积。据SK海力士透露，该款SSD已获得HPE认证并实际运行于后者的服务器系统中。

在内存配套方面，SK海力士同步向HPE供应64GB DDR5 RDIMM。该RDIMM采用寄存器时钟驱动器（RCD）以提升信号完整性，适用于高性能计算场景。

下一代内存架构布局

SK海力士还在会议期间介绍了多项下一代内存技术，包括CXL（Compute Express Link）全内存系统以及异构内存软件开发工具包HMSDK。CXL全内存系统利用互连协议将CPU、内存和加速器统一管理，以突破传统内存容量瓶颈；HMSDK则旨在帮助开发者更高效地调配异构内存资源。

SK海力士表示，将继续作为全栈AI内存制造商，拓展在AI基础设施市场中的角色。

从展示内容看，SK海力士正围绕AI基础设施构建从NAND闪存、DDR5内存到CXL互联的完整产品矩阵，目标是为数据中心客户提供端到端的存储与内存解决方案。