三星一季度DRAM市场份额38%，与SK海力士差距扩大至9个百分点

市场调研机构Counterpoint Research于6月25日发布的数据显示，今年第一季度全球DRAM市场格局出现明显分化。韩国三星电子以38%的营收份额继续领跑，其与排名第二的SK海力士之间的差距已从去年第四季度的4个百分点扩大至9个百分点。

头部厂商份额变化

具体来看，三星电子在全球DRAM市场的份额为38%，自去年第四季度以来已连续两个季度保持首位。SK海力士凭借29%的份额位列第二，美光科技则以22%排名第三。

三星与SK海力士的份额差距：去年第四季度为4个百分点，今年第一季度拉大至9个百分点。

行业解读：DRAM市场格局稳固

DRAM（动态随机存取存储器）是电子设备中用于临时存储数据的关键半导体组件，其市场份额变化通常反映头部厂商在产能、技术及客户关系方面的综合竞争态势。从现有数据看，三星对SK海力士的领先优势正在扩大，整体前三强合计占据全球DRAM营收的89%。

• 三星：连续两个季度居首，份额38%
• SK海力士：份额29%，差距拉大
• 美光：份额22%，保持第三

市场背景简析

基于本次数据，DRAM行业头部集中度较高，三星与SK海力士之间的差距扩大，意味着前者在产能分配或客户订单获取上可能获得了更多优势。对于下游终端厂商而言，采购议价空间或随之收窄。

DRAM市场格局生变：三星重夺领先，长鑫存储份额跃升至8%

全球DRAM（动态随机存取存储器）市场在2025年第一季度呈现出显著的结构性变化。根据行业最新数据，韩国厂商三星电子与SK海力士之间的榜首争夺出现逆转，同时中国长鑫存储（CXMT）的市场份额实现翻倍增长。

三星与SK海力士的份额交替

数据显示，三星电子在第一季度重新占据DRAM市场份额首位。此前，SK海力士在去年第一、二季度期间一度超越三星，登顶DRAM市场；然而在去年第三季度，两者市场份额均为33%，并列第一。自去年第四季度起，三星重夺领先地位。

“去年第一、二季度曾超越三星占据DRAM榜首，但去年第三季度两者均以33%并列，第四季度起三星重夺领先地位。”

这一份额交替反映出两家公司在技术迭代与产能分配上的动态博弈。作为全球内存芯片双寡头，三星与SK海力士的竞争长期聚焦于先进制程工艺与客户订单获取。

长鑫存储市场份额翻倍

值得注意的是，中国DRAM厂商长鑫存储（CXMT）增长显著。该公司DRAM市场份额从去年的3%升至今年第一季度的8%，增幅超过160%。长鑫存储通过持续推进自主研发，已逐步在全球DRAM供应格局中占据一席之地。

市场规模环比增长80%，同比增260%

整体来看，2025年第一季度全球DRAM市场规模环比增长80%，同比增长260%。这一爆发式增长主要受益于AI服务器、数据中心对高带宽内存（HBM）等高端DRAM产品的强劲需求。

什么是DRAM？

DRAM即“动态随机存取存储器”，是计算机与智能设备中用于临时存储数据的关键芯片。其特点是在通电状态下需要不断刷新数据，断电后数据消失，因此主要用于运行程序、处理任务的中转缓存场景，与用于长期存储数据的NAND闪存（固态硬盘核心）有本质区别。

长鑫存储HBM市场格局：SK海力士份额回落至58%，三星、美光各占21%

半导体存储领域的高带宽存储器（HBM）市场竞争态势出现微妙变化。根据市场调研机构Counterpoint Research的最新数据，SK海力士在2024年第一季度以58%的份额继续位居HBM市场首位，但其领先优势较去年同期出现收窄。

SK海力士份额下滑，三星有望因供货英伟达获提振

数据显示，尽管SK海力士仍以58%的份额保持绝对领先地位，但这一数字较去年第一季度的69%下降了11个百分点。三星与美光同期各占据了21%的HBM市场份额。

Counterpoint Research指出，三星虽然目前位列第三，但预计将向英伟达供应HBM4产品，有望在下半年提升其HBM市场份额。

HBM技术解读：高带宽存储器

高带宽存储器（HBM，High Bandwidth Memory）是一种通过硅通孔（TSV）技术将多层DRAM芯片垂直堆叠，并与图形处理器（GPU）或AI加速器封装在一起的存储器方案。其核心优势在于通过增加数据通道宽度实现远超传统DDR内存的带宽，满足人工智能训练和推理场景下对大规模数据传输速度的需求。

市场竞争逻辑：订单与供应链权重

HBM市场的份额变动向来与下游核心客户采购密切相关。素材显示，SK海力士份额的下滑，与三星获预期向英伟达这一AI计算巨头供货HBM4产品形成对比。在AI芯片厂商持续增加采购订单的背景下，供应商能否进入高端客户供应链体系，将直接决定其在该领域的出货量与市占率走势。

• SK海力士：2024年一季度HBM市场份额58%，虽回落但仍居首位
• 三星：份额21%，位列第三，但预计下半年将首次向英伟达供应HBM4
• 美光：与三星并列，同样占据21%市场份额

NAND闪存市场一季度份额变动：长江存储升至13%

市场研究机构发布的最新数据显示，今年第一季度全球NAND闪存市场中，三星以29%的份额继续保持领先地位，SK海力士以18%位居第二，铠侠占14%，美光、闪迪和长江存储（YMTC）各占13%。

长江存储份额同比提升5个百分点

与去年同期相比，长江存储的份额从去年第一季度的8%大幅上升至今年第一季度的13%，增幅达到5个百分点。该变化反映出长江存储在NAND闪存领域的产能与市场拓展取得进展。

长江存储（YMTC）主要专注于3D NAND闪存芯片的研发与制造，其份额提升在行业内被视为国产存储厂商竞争力增强的信号。

头部厂商份额分布趋于分散

在前六大厂商中，三星、SK海力士与铠侠合计占据61%的市场份额，而美光、闪迪和长江存储合计占39%。与去年同期相比，三星、SK海力士的份额保持稳定，而长江存储的增长部分来自其他中小厂商的份额让出。

NAND闪存是一种非易失性存储技术，广泛应用于固态硬盘、智能手机和服务器等领域，其市场规模与各厂商的产能扩张及技术节点迭代密切相关。