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联想在ISC 2026大会披露DRAM与NAND价格走势预警长期高价

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6月27日，IT之家援引外媒Wccftech消息，联想于ISC 2026大会发布存储芯片市场研判。公司明确指出现阶段DRAM与NAND价格已大幅上涨，若供应短缺未能缓解，价格出现显著回落的难度较大。

产能规划调整与缺口持续

数据显示，自2025年第三季度末至第四季度初，相关芯片价格开启大幅上行通道。当前价位已升至多数机构此前未设防的水平。即便主流制造商启动扩产计划并新建晶圆厂，产能投放节奏仍难以在短期内填平供需鸿沟。

为应对供应紧张，SK海力士已调整中长期晶圆厂建设路线图。该企业计划将原定推迟至2040年代以后推进的扩产步骤，整体提前至2030年代实施，目标届时将存储芯片总产量提升至当前三倍。不过扩产幅度能否彻底匹配市场渴求，仍存在不确定性。

“即使是战略级和最高优先级客户，也无法满足全部需求，当前局面已经超出自身控制。”

需求端刚性支撑与终端承压

三星与SK海力士亦释放相似信号。受人工智能产业快速迭代拉动，相关硬件需求持续高位。制造企业获取丰厚利润的同时，需求热度未见实质性降温。联想强调，至2030年及以后，存储芯片维持较高价位或将成为长期市场特征。

DRAM与NAND指动态随机存取存储器与闪存芯片，分别对应设备运行内存与数据持久化存储介质。该分类明确了产业链核心硬件的物理功能差异。结合产能规划，原厂扩产节奏需跨越晶圆厂建设周期，供需平衡的兑现存在明确的时间滞后。

供应链价格传导机制正在重塑，下游设备制造企业的物料预算编制需同步上调，短期市场交易将围绕现货溢价展开博弈。

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