三星电子于7月1日发布“Nexus”代工战略并更新AI芯片生态规划

7月1日，三星电子在首尔举办三星先进代工生态论坛。该公司在会上正式明确面向人工智能时代的代工业务演进路径，并对外披露了涵盖先进制程、HBM4集成与设计生态建设的具体规划。

“Nexus”战略定位与连接逻辑

论坛核心内容围绕“Nexus”战略展开。该方案旨在通过系统性连接产品、基础设施、客户与合作伙伴，构建协同运作的AI芯片生态体系。

“Nexus”指代工业务中连接产品、基础设施、客户与合作伙伴的枢纽概念。该设计用于实现AI芯片生态的协同运作。

三星电子明确该方向将作为后续技术迭代的框架。通过统一架构整合多方资源，AI芯片产业链的协作模式将发生直接变化。

技术路线与生态建设方向

在技术落地层面，三星同步更新了三项关键方向的推进计划：

• 先进制程工艺路线优化
• HBM4集成方案升级
• 芯片设计生态系统的持续扩充

上述规划覆盖制造与上层设计环节。HBM4集成与设计生态的同步推进，将直接作用于AI算力芯片的配套服务标准。

三星公布先进制程演进路线：2029年目标量产1.4纳米工艺

三星电子近日披露了旗下半导体制造工艺的后续推进计划。公司在1.4纳米与2纳米关键节点上明确了具体时间轴与技术优化方向。

制程迭代时间轴与IP兼容策略

1.4纳米工艺（SF1.4）目前正按计划推进，目标定于2029年实现量产。该节点的改良版本SF1.4 Plus预计于2030年推出。

2纳米工艺路线聚焦高市场需求节点的迭代。相关产品将在2027年至2028年间升级至SF2P Plus，随后继续演进至SF2X节点。

“SF2X将保持与SF2P、SF2P Plus的IP兼容性，便于客户延续既有设计资源。”

DTCO技术驱动能效优化

设计与工艺协同优化技术（DTCO）被列为核心技术路径。该技术指在芯片架构开发与晶圆制造环节建立联动机制，通过双向调优释放制程潜力。

现有数据显示，2纳米工艺的功耗已降低26%，其中超过一半的改进效果来自DTCO。随着制程继续推进，性能提升中的更大比例将来自设计与制造的联合优化。

存储单元微缩与产业影响

在存储架构层面，公司已实现更小尺寸的SRAM单元。SRAM为静态随机存取存储器，其物理尺寸的精简主要用于提升高密度数据存储能力。

制程节点的按期交付与底层架构优化，将直接作用于高端芯片的能效表现与客户端设计迁移成本，相关技术路线的延续性为产业链规划提供了明确预期。

三星HBM4基础芯片采用4纳米工艺并在10Gbps速率下完成信号验证

聚焦AI芯片关键配套领域，三星公布了HBM4项目的最新技术进展。作为第六代高带宽内存，该产品的核心基芯片已确认采用4纳米工艺SF4X进行制造。

信号传输与工艺验证情况

在与内存业务完成协同开发后，三星对信号表现进行了测试。系统已在10Gbps速率下验证到稳定、清晰的信号表现。

具备最高11.7Gbps的速度裕量

基于现有测试数据，当前验证速率已预留出明确的速度缓冲区间。该裕量设定为芯片后续实际应用中的性能稳定性提供了量化依据。

设计流程自动化与周期优化

针对以往芯片互连设计流程中验证周期较长的痛点，三星正推进相关环节的自动化改造。公司针对该问题开发了3D DRAM PHY数字化自动方案。

该方案的核心逻辑在于将传统验证步骤转化为数字化自动处理。通过这一技术路径，企业计划直接缩短客户在芯片设计和仿真环节的时间。

• 工艺节点：4纳米工艺SF4X
• 验证速率：10Gbps
• 速度裕量：最高11.7Gbps

上述技术迭代与流程优化措施的落地，将直接作用于下游芯片开发环节，有助于提升整体配套方案的交付效率。

三星计划扩充4纳米与2纳米IP资源，Connect网站拟于2026年改版

三星在生态合作领域披露最新布局，明确将继续扩充4纳米与2纳米IP资源，并计划于2026年起对面向客户与合作伙伴的B2B平台Connect进行全面升级。

先进制程资源与渠道拓展

此次资源扩充聚焦特定制程节点。企业将通过引入更多合作伙伴进一步丰富产品矩阵，旨在为终端客户提供多元化的设计选择。

（字面解释：IP资源在半导体设计领域指可授权复用且经验证的标准化功能模块集合。扩充该资源可直接调用底层架构，减少重复开发。）

B2B数字化平台功能迭代

业务协同效率的提升将依托Connect平台的改版实现。该网站定位为连接客户与合作伙伴的专属商业渠道。全面改版自2026年启动，核心更新涵盖两项功能模块。

• 接入AI聊天机器人，实现自动化交互响应。
• 升级文档检索功能，优化信息获取路径。

平台迭代逻辑侧重于通过自动化交互与精准检索降低沟通成本，该举措将直接作用于供应链上下游的对接效率。