闪迪与铠侠BiCS10 3D闪存技术启动交付 堆叠层数达332层
快科技7月3日消息,闪迪与铠侠联合宣布,第十代BiCS FLASH 3D闪存技术BiCS10正式启动样品交付。首款产品为1Tb TLC型号,采用332层堆叠设计。
核心技术延续BiCS8工艺
BiCS10在技术架构上延续了BiCS8时代就已采用的两大核心工艺。其一是CMOS直接键合到阵列技术,将CMOS逻辑电路与存储阵列分别在不同晶圆上制造,再通过高精度晶圆对晶圆对准键合。CMOS直接键合到阵列技术是一种制造工艺,通过高精度对准键合实现逻辑电路与存储阵列的集成。
其二是间距选择栅极漏极技术,通过优化存储单元的排列布局来提升密度。这项技术的成熟与迭代,为BiCS10实现332层堆叠和4.8Gb/s接口速度提供了底层支撑。
性能参数实现多维度提升
BiCS10的NAND接口速度达到4.8Gb/s,较BiCS8提升了33%。
性能方面,位密度提升59%,实现了超过29Gb/mm²的业界领先存储密度。能效表现方面,输入功耗较BiCS8降低10%,输出功耗降低34%。写入能效提升18%,读取能效提升30%。
技术层面,BiCS10支持Toggle DDR6.0接口标准、SCA协议及PI-LTT低功耗技术。行业分析师指出,这款产品的高密度特性将显著提升数据中心存储能效,减少硬件扩展成本。
- 首款型号:1Tb TLC
- 堆叠层数:332层
- 接口速度:4.8Gb/s
- 存储密度:29Gb/mm²以上
市场定位与企业应用
铠侠预测2026至2028年NAND市场整体出货容量复合年增长率为22%,其中数据中心领域增速达46%。两家公司均未将BiCS10定位为消费级产品,目前没有公布具体的单颗售价。
该技术将优先应用于企业级与数据中心固态硬盘,专为AI训练、推理及大规模云工作负载设计。企业级固态硬盘通常面向高性能计算场景,对存储密度和能效有更高要求。
