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闪迪交付第10代3D NAND BiCS10 1Tb测试样品

摸鱼不慌
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闪迪今日宣布，已向客户交付第10代3D NAND闪存产品BiCS10 1Tb TLC测试样品，存储密度达1 Terabit（128GB）。

技术性能突破

BiCS10在存储密度、传输速度及功耗效率上均有提升，目标是为现代计算提供大规模、高效率存储支持。

新产品在能量效率方面实现质的飞跃，符合数据中心对低功耗的需求。

BiCS10技术解析

3D NAND是多层单元堆叠的闪存技术，通过立体结构提升存储密度，相比传统平面NAND具有更高容量和更快读写速度。

该产品交付测试样品，体现了闪迪在闪存领域的持续研发能力。

闪迪交付第10代3D NAND BiCS10 1Tb测试样品 第1张

闪迪推出BiCS10芯片：闪存堆叠至332层 实现密度与性能双突破

闪迪官方披露，新一代BiCS10芯片已推出，通过将闪存堆叠层数提升至332层，并结合横向微缩技术，成功实现超过29Gb/mm²的TLC（Triple-Level Cell）存储密度，处于业界领先水平。

技术参数与性能提升

与当前市场上主力大规模量产的第8代（BiCS8）3D闪存相比，新型BiCS10的位密度提升了59%。借助Toggle DDR 6.0接口总线、SCA协议及PI-LTT技术的全面引入，BiCS10的接口传输速率上升至4.8 Gb/s，较前代产品提升了33%。

架构优化与能效改善

BiCS10沿用了闪迪的CBA（CMOS直接键合至晶圆阵列）架构技术，即在独立晶圆上分别制造CMOS逻辑电路与闪存记忆阵列，再通过高精度晶圆对齐技术键合。这一工艺优化使数据能效显著提升，输入功耗比BiCS8降低10%，输出功耗降低34%。

闪迪首席技术官阿普尔·伊尔克巴哈尔表示：“随着数据化与智能化加深，NAND闪存技术正成为支撑现代算力的关键。”

BiCS10技术解读

横向微缩（Lateral Scaling）技术指的是通过水平方向缩小存储单元尺寸来增加密度。BiCS10通过332层堆叠，在相同面积上实现更多存储单元，从而大幅提升位密度。

  • BiCS10的密度提升对数据中心及企业级存储设备具有直接影响，可降低运营成本与散热需求。
  • 闪迪在3D闪存技术领域持续迭代创新，BiCS10进一步巩固了其在高性能闪存市场的地位。
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