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SK海力士与闪迪联合发布高带宽闪存首个标准，容量/性能对标HBM

摸鱼不慌 2026-08-04 09:19:35

SK 海力士与闪迪近日联合在闪存峰会 2026期间共同发布了高带宽闪存（High Bandwidth Flash，简称 HBF）首个标准规范。

高带宽闪存（HBF）是一种新型存储层级，按照规划将首次实现兼具高频带宽与扩展容量的存储方案。该技术既不同于当前主流的 NAND 闪存固态硬盘，又区别于高带宽内存（HBM），并且获得了业内主要存储企业的支持。

HBF 技术可基于现有 NAND 芯片大幅提升容量，同时具备与 HBM 类似的大规模数据传输能力。其核心优势在于以下两个方面：在带宽层面，设置了三个不同的性能等级；在容量设计上，国际合作伙伴计划制造两个等级的产品。

根据联盟公布的最新数据，在经历了约六个月的技术磨合与标准化建设后，SK 海力士继续扩大与闪迪的深度合作。最新成果是推出了两种采用不同堆叠层数的 NAND 芯片方案，每一项规范都对应明确的性能指标要求。

SK 海力士在 FMS 2026 展出 HBF 联盟与 NAND 技术进展

SK 海力士宣布将参加 FMS 2026 展会，并公开其开发中的 HBF 联盟与新型 NAND 闪存技术，展示了公司在 AI 存储领域的标准化努力。

HBF 与处理器通过行业标准 UCIe 规范进行连接，这是一种开放的通信接口，允许不同处理器类型如 GPU 和 CPU 在 HBF 环境中互操作，无需企业私有方案。

SK 海力士利用 OCP 合作框架，推动 HBF 在 AI 存储市场的规模化，目前联盟包含谷歌和 Tenstorrent 等合作伙伴，旨在通过开放标准加速技术普及。

SK 海力士将在展示会上首次展出第十代 V10 375 层 4D NAND 闪存晶圆，此项技术的性能功耗比较上一代提升 2.5 倍，适用于 AI 基础设施，如数据中心。

SK 海力士计划明年初基于此闪存量产高性能企业级固态硬盘，此举可能增强对高能效 AI 环境的适应力，提升整体行业效能。

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