铠侠闪迪发布新一代QLC 3D闪存技术 比特密度提升60

新加坡时间1月30日，存储芯片制造商铠侠与闪迪联合发布新一代四层单元（QLC）3D闪存技术。根据双方公告，这款产品比特密度较上一代第8代产品提升60%，达到37 Gb/mm²，同时存储密度、传输性能及能效表现刷新行业记录。

新一代QLC 3D闪存技术详解

四层单元（QLC）3D闪存是一种存储技术，通过在垂直堆叠的存储单元中写入四个比特的数据，大幅提升存储密度。与传统的SLC（单层单元）和MLC（多层单元）技术相比，QLC能在相同面积内存储更多数据，但通常需要更高精度的制造工艺来确保稳定性。

铠侠与闪迪的新一代QLC 3D闪存基于两家公司合共研发的最新制程技术，实现了每平方毫米37 Gb的比特密度，较第8代产品提升60%。该技术采用28纳米级别的制程工艺，并通过优化电荷保持结构，在能效与传输速度上取得平衡。

“此次发布是存储技术的一次重要进步，比特密度的大幅提升将直接降低单位存储成本，推动存储芯片在需要高容量存储的场景中广泛应用。”铠侠与闪迪联合发表声明时称。

技术指标刷新行业记录

根据公告，新一代QLC 3D闪存在存储密度、传输性能和能效三大核心指标上均取得突破：

• 比特密度提升60%，达到37 Gb/mm²，超过当前行业主流水平。
• 传输性能较上一代产品提升15%，同时能效改善20%。
• 基于28nm制程工艺，进一步降低单位容量制造成本。

背景与市场影响

铠侠（Kioxia）是全球主要的存储芯片制造商之一，专注于3D NAND闪存和DRAM芯片的研发与生产。闪迪（SanDisk）则长期在消费级和企业级存储解决方案领域拥有领先地位。两家公司自联合成立存储技术合作联盟后，在3D闪存研发领域共享技术资源，加速了本次QLC技术的商用进程。

业内人士指出，新一代QLC技术的推出将进一步降低固态硬盘（SSD）和数据中心存储设备的单位容量成本，预计将在2024年逐步导入相关产品线，推动高容量存储方案在服务器、数据中心和大规模存储设备中的普及速度。

铠侠与闪迪联合发布第十代QLC 3D闪存 接口速率达4.8 Gb/s

铠侠与闪迪共同发布新一代QLC 3D闪存产品，采用CMOS直接键合至阵列（CBA）技术，实现全球首款接口速率达4.8 Gb/s的QLC 3D闪存，同时引入电源隔离低抽头终端技术以改善能效表现。

技术架构与性能突破

新一代闪存采用了CMOS直接键合至阵列（CBA）技术，该技术在独立的晶圆上分别制造CMOS逻辑电路与存储阵列，随后通过高精度的晶圆对晶圆对齐技术进行键合。物理架构与传输协议方面，第十代QLC 3D闪存采用332层设计及优化的版图布局。

第十代QLC 3D闪存采用了332层设计及优化的版图布局；在Toggle DDR6.0与独立命令地址（SCA）协议的加持下，成功释放了高速接口的潜能。

独立命令地址（SCA）是一种优化的数据传输协议，通过独立处理命令与地址信号，提高了数据传输效率与稳定性。

能效与市场应用

新引入的电源隔离低抽头终端（PI-LTT）技术有效改善了I/O数据输出传输的功耗表现，直接缓解了现代人工智能及云端基础设施所面临的能效与散热挑战。

• 采用332层物理架构
• 接口速率达4.8 Gb/s
• 优化Toggle DDR6.0协议
• 引入PI-LTT技术提升能效

这两家公司分别拥有多年存储技术积累，铠侠在内存与存储解决方案领域具有全球领先地位，闪迪则专注于闪存技术及存储产品创新，双方合作加速了高性能闪存商业化进程。

行业影响与技术意义

随着人工智能从生成式AI向智能体AI及物理AI拓展，数据的应用场景正在变得日益多元化与复杂化。QLC技术能够高效存储激增的数据量，为AI系统提供更强的性能与扩展性。

第十代QLC 3D闪存在密度、带宽和能效上实现了同步提升，直接解决了AI训练、推理及超大规模数据中心带来的数据增长压力，为下一代基础设施应用奠定了可扩展的基础。