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铠侠与闪迪联合推出第十代QLC NAND闪存技术 密度提升超60

摸鱼不慌
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IT之家8月4日消息，铠侠株式会社与闪迪公司今日联合宣布推出新一代四层单元（QLC）3D闪存技术。该产品相比双方第八代技术，位密度实现最高60%提升（超过37Gb/mm²）。

技术特点

第十代QLC NAND闪存采用了双方自主研发的CMOS直接键合阵列（CBA）技术。这项技术允许在不同晶圆上分别制造CMOS逻辑电路和存储阵列，随后通过高精度晶圆对晶圆技术进行键合。

CMOS直接键合阵列（CBA）技术是一种半导体制造工艺，通过在独立晶圆上制造不同功能模块，再进行高精度物理结合，从而提升整体芯片性能。

量产与应用

报道中未提及该技术的量产时间表及具体应用场景。业内人士指出，高密度闪存技术的进步有助于降低存储设备单位成本，对云计算和数据中心领域具有积极影响。

  • 位密度提升超60%
  • 单芯片存储容量大幅增加
  • 采用自主研发的CBA技术
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