三星延迟High-NA EUV应用至1纳米以下制程

三星电子已将其引入High-NA极端紫外线（EUV）光刻技术的节点计划从原定的2纳米或1.4纳米节点，调整为1纳米（A10）及以下制程。这一调整反映了公司在先进半导体制造技术上的谨慎策略。

EUV技术基本原理

极端紫外线（EUV）是一种光刻技术，其使用的光波波长为13.5纳米，约为传统氟化氩（ArF）光源波长的十三分之一。这一特性使得EUV能够在更少次数的图案化步骤中实现超微细电路。

High-NA EUV技术优势

High-NA EUV技术通过提升透镜数值孔径从0.33到0.55，能够提高分辨率，实现更精细的电路图案。该技术应用后，原本需要多次图案化的超微细工艺可以通过单次图案化完成，有助于降低制造成本、提升生产效率，并使电路设计更加灵活。

三星电子原计划在2纳米或1.4纳米节点引入High-NA EUV，但公司相关部门负责人Park Chang-min Master表示：“2纳米、1.4纳米等节点虽然有意引入，但目前仍需要技术层面的进一步完善。”因此，公司将导入节点推迟至1纳米及以下制程。

三星预计2030年量产1纳米制程 高NA EUV技术路线图确定

三星电子半导体研究所Foundry工艺开发团队Master朴昌民近期透露，公司计划在2030年实现1纳米制程的量产，届时将搭配高数值孔径极紫外光刻（High-NA EUV）技术。

高NA EUV面临多重技术挑战

High-NA EUV设备造价极为昂贵，同时对光罩、防护薄膜等相关材料技术也提出了更高的要求。这意味着在实现量产前需要克服设备成本和材料的配套难题。

业界预计，未来先进制程中将混合使用现有EUV多次图案化与High-NA EUV单次图案化两种方案。

“高数值孔径极紫外光刻（High-NA EUV）是一种更先进的晶圆光刻技术，能够实现更精细的线路图案化，从而制造出更小型化的芯片。”

三星制程路线图与High-NA EUV同步推进

三星已按时完成2纳米制程的量产，计划于2029年实现1.4纳米制程量产，并计划在2030年推出1.4纳米的改进版本（SF1.4+）及1纳米制程。

三星电子半导体研究所Foundry工艺开发团队Master朴昌民预计，到1.4纳米及1纳米制程为止，0.33 NA EUV多次图案化仍将是主流技术路线。在此之后的下一代制程，High-NA图案化将成为主流。

三星的制程路线图与High-NA EUV的量产导入时间高度吻合。