英特尔18A-P进入风险试产 较基础版本性能提升9% 功耗降低18

在全球先进制程竞争加速向2纳米时代迈进的背景下，英特尔于当地时间6月16日在2026年VLSI国际研讨会上宣布，其先进制程节点Intel 18A-P正式进入风险试产阶段。这是Intel 18A家族的首个性能增强版本，也是英特尔代工业务争取外部客户的关键产品。

技术架构：GAA晶体管与背面供电技术首次推向市场

英特尔代工已借助Intel 18A制程节点，将全环绕栅极（GAA）晶体管和背面供电（BSPD）技术实现商业化。GAA晶体管是一种将栅极环绕在电流通道四周的晶体管结构，可增强对电流的控制；背面供电技术则将电源布线移至芯片背面，以减轻正面互连拥堵。

“与同类正面互连技术相比，背面供电可使布线面积减少11%，动态压降幅度缩小10倍，从而实现高达6%的频率提升或超过15%的动态功耗降低。”——英特尔代工副总裁兼英特尔院士Eric Karl

相较于Intel 18A基础版本，18A-P在相同功耗下可实现9%的性能提升，或在相同性能下降低18%的功耗。这些数据来自英特尔在研讨会上的技术披露，显示了性能增强版本的直接收益。

产业时间线：风险试产节点比性能数字更受关注

过去一年，Intel 18A已先后完成设计定版、客户流片及内部产品导入。风险试产阶段是对制程稳定性和良率的小批量验证，为后续量产提供依据。对于代工客户而言，本次18A-P风险试产的推进时间表，比具体的晶体管性能数字更具战略意义——它直接关联英特尔能否兑现此前向客户承诺的交付节点。

市场格局：先进制程的第三个选择

目前全球先进制程市场仍由台积电主导。随着人工智能推动高性能计算需求增长，芯片设计公司开始寻求第二供应来源以降低供应链风险。Intel 18A的落地，使英特尔成为除台积电、三星之外先进制程上第三个可选项。公开信息显示，英特尔已获得微软基于18A制程的芯片订单，但量产规模尚未公开；英伟达、博通及苹果处于测试评估阶段，尚未宣布大规模合作。

未来微缩：CFET、减成法钌互连与氮化镓集成等研究进展

在披露技术进度的同时，英特尔还公开了多项长期研究成果，包括被视为GAA晶体管后续方向的互补场效应晶体管（CFET）、用于降低互连电阻的减成法钌互连技术，以及将氮化镓功率器件与硅基逻辑进行单片集成的方案。这些成果距离商业化仍有一段距离，但反映出先进制程竞争已从单纯的尺寸竞赛，转向晶体管结构、供电方式、材料工程及系统级优化的综合竞争。

业内分析指出，真正决定英特尔代工战略成败的，仍是未来几年客户导入、量产执行及商业化落地的能力，而非单一节点的性能突破。