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泰永长征固态断路器功率器件升级至碳化硅 产品效率达99.9%以上

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泰永长征在近日举行的投资者关系活动中披露,其固态断路器功率器件已完成从早期硅基MOS器件向碳化硅、碳化硅MOSFET的技术路线切换。采用碳化硅器件后,产品效率达到99.9%以上,同时新增多款软件功能,保护逻辑支持定制化方案。

功率器件换代:硅基MOS升级至碳化硅MOSFET

泰永长征表示,公司固态断路器功率器件方面已从早期硅基MOS器件升级为碳化硅、碳化硅MOSFET。碳化硅MOSFET是一种采用宽禁带半导体材料碳化硅制成的场效应晶体管,相比硅基器件具备更优的开关特性和耐压能力。

采用碳化硅器件后产品效率可达99.9%以上。

软件功能与保护逻辑同步升级

除硬件升级外,泰永长征还新增多款软件功能,并对保护逻辑进行改进。保护逻辑现支持定制化配置,可根据不同应用场景调整保护策略。

  • 效率提升:碳化硅器件使产品效率突破99.9%
  • 软件新增:多款功能上线,丰富产品使用场景
  • 定制能力:保护逻辑支持客户自定义配置

技术解读:固态断路器与碳化硅器件

固态断路器是一种利用半导体功率器件实现电路通断的新型开关设备,相较于传统机械断路器,具备无电弧、响应快、寿命长等特点。此次泰永长征换用碳化硅MOSFET,进一步压低了导通损耗与开关损耗,从而带来接近100%的转换效率。

此轮升级意味着泰永长征在固态断路器技术路线上完成核心元件的迭代,有望提升其在电力分配与保护领域的方案竞争力。