兆易创新6月25日收盘报775.21元年内累计涨幅达229
6月25日,A股存储芯片板块交易活跃度显著提升。兆易创新当日收盘价为775.21元,单日涨幅达到9.94%。伴随股价上行,公司总市值突破至5440亿元,并刷新52周最高纪录。统计数据显示,该企业年内累计涨幅已攀升至229%。
存储芯片估值逻辑重构
传统市场认知中,存储芯片属于典型的周期品。其价格与出货量高度绑定于手机、PC等终端设备的销售波动,毛利率空间相对有限,企业估值长期受限于供需平衡框架。
2025年以来的市场变化促使该品类属性发生转变。AI算力需求的陡峭攀升正在重塑产业链定价体系。大模型参数规模的持续膨胀与GPU集群的扩张,直接拉动了对存储底层硬件的需求。
全谱系存储产品正从“库存商品”向“战略资源”转型,HBM至NOR Flash各细分品类均纳入此次需求重构范围。
此次盘面的集中表现,反映了资金对存储板块底层逻辑切换的认可。产业链估值体系已逐步脱离传统消费电子周期束缚,转向以算力基础设施为核心的新定价模型。
- 核心驱动因素:大模型参数膨胀与GPU集群扩张
- 需求覆盖范围:HBM至NOR Flash全谱系存储
- 市场定价转变:由供需周期框架转向算力战略资源配置
存储板块交易重心的迁移,预计将促使资本市场对该细分赛道的长期配置逻辑进行重新评估。
全球存储同步暴涨不只是兆易创新。江波龙收涨5.49%,德明利收涨5.93%,佰维存储收涨5.76%,香农芯创收涨6.25%,普冉股份收涨6.44%——六只市值超千亿的存储龙头,股价在同一天齐创历史新高。盘中佰维存储一度涨超12%,江波龙、德明利涨超9%,普冉股份涨超7%,兆易创新涨超7%,香农芯创涨超5%。整个板块像被人摁下了快进键。同一天,韩国KOSPI指数重回9000点,大涨近6%。SK海力士午后涨幅扩大至超14%,每股逼近300万韩元(约合人民币1.3万元),刷新历史新高,总市值达1.35万亿美元;三星电子涨超5%;日本铠侠控股涨超6%。存储芯片这把火,从首尔烧到东京,再烧到沪深,全球同步。导火索是前一天美光科技的财报——营收414.6亿美元,同比暴增346%,净利润282.4亿美元,同比增长接近14倍,毛利率84.9%。三项核心指标全部刷新公司历史纪录。美光盘后一度涨超16%。但美光只是一个引信。真正让市场亢奋的,是整个行业正在发生的事。美光CEO在财报会上说,存储供需紧张格局将持续至2027年之后。英伟达黄仁勋更直接——存储供应短缺远未结束,还会持续数年。SK集团董事长崔泰源说得更远,瓶颈可能持续到2030年,SK海力士计划未来五年产能翻倍。从美光到SK海力士到英伟达,口径出奇一致:这轮存储的供需失衡,不是短期的,是结构性的。海外大厂加速退出2D NAND,产能转向3D NAND和DRAM,NOR和SLC NAND的供给出现刚性缺口。光模块、汽车电子、AI终端,三条需求线同时拉动。TrendForce的数据佐证了这一点——利基DRAM第二季度合约价涨幅将达到55%到60%,第三季度预估再涨35%到40%,上半年SLC NAND合约价涨幅超过100%。整个存储行业,正站在一轮超级周期的正中央。而兆易创新,恰好卡在这个周期最核心的位置上。一个季度赚了一年的钱股东结构的变化,往往比股价更早透露信号。截至一季度末,兆易创新前十大流通股东累计持股1.66亿股,占比23.75%,环比上升1.60%——创始人朱一明一股未减,北向资金小幅增持,最核心的持仓没有松动。但股东总户数从17.44万户暴增至24.37万户,增幅近40%;机构数量从1613家骤降至371家,持仓比例从35.59%降至21.93%。这两组数据同时出现,指向同一个事实:中小机构在高位止盈,散户在追涨接盘。筹码从机构向散户分散,意味着浮筹增多,短期波动风险加大。但一季度的"内部锁仓、外部加注"已是过去时。进入二季度后,创始人朱一明在5月6日至7日减持了0.49个百分点——这是内部人第一次松动。葛卫东一季度已减持4.49%,最近一次可追溯的增持停留在2024年三季度。核心锁仓的格局正在被打破,只是打破的速度和幅度尚不明确。
兆易创新2026年一季度营收41.88亿净利润同比增522.79%
2026年第一季度,兆易创新披露最新经营数据。公司在该季度实现营收41.88亿,录得净利润14.61亿。
资本兑现与估值匹配度
伴随前期股价实现翻倍,部分资金已选择进行不同程度的兑现。市场关注点随之转向公司基本面与当前价格水平的匹配程度。
核心财务指标拆解
- 单季营收达到41.88亿,同比增长119.38%。
- 单季净利润录得14.61亿,同比增幅为522.79%。
- 毛利率录得57.08%,较上年同期提升19.64个百分点。
- 毛利率较上一季度环比提升12.17个百分点。
单季净利润逼近去年全年利润(16.48亿),三个月做到了去年十二个月的事。
存储周期弹性与模式差异
在同处存储上行周期的行业背景下,不同企业的业绩弹性展现出明显分化。兆易创新本季度的财报表现,需结合其特定的生意模式进行交叉验证。
涨价周期内的利润扩张路径因企业产品定位而异,对应的风险结构亦不相同。将几家主要参与方置于同一维度观察,其赚钱逻辑的区分度较为清晰。
基于现有数据口径,利润增速显著高于营收增速,反映出高毛利产品占比提升对盈利质量的直接拉动。行业价格上行阶段的业绩分化,通常将加速资源向具备定价权优势的主体集中。
2026年第一季度主要存储公司业绩对比

兆易创新毛利率达57.08%居行业首位,香农芯创一季度利润增78倍
存储芯片市场处于涨价周期,不同商业模式企业的盈利表现呈现显著分化。分销商与模组厂依赖库存周期放大利润,设计企业则面临产品代际升级挑战。兆易创新以57.08%的毛利率处于行业高位。
分销与模组企业的周期特征
香农芯创代理SK海力士等原厂芯片,属纯分销商模式。该企业营收规模达237亿元,位列全行业最高,毛利率为9.12%,收益主要来自通道费与库存差价。
一季度涨价行情使库存增值效应几何级放大,推动香农芯创利润暴增78倍。受限于基础毛利率,其受益绝对幅度存在天花板。
江波龙与佰维存储采用模组厂模式,采购晶圆后自主封测并打造品牌。该模式具备加工与品牌溢价,毛利率超50%。江波龙一季度净利润38.62亿元,已超去年全年。
涨价周期内库存充当利润放大器;若价格趋势反转,高位库存将在单季度内转化为巨额减值损失。
分销商与模组厂现金流均为净流出。两类企业主要赚取周期波动收益,盈利弹性与价格拐点高度绑定。
设计企业的产品代际差异
北京君正聚焦芯片设计,拥有自有产品线。其存储芯片以DDR3为主,应用于传统消费电子与工业市场。
本轮利基DRAM涨价核心来自DDR4与DDR5,DDR3涨幅相对温和。北京君正受限于升级周期,DDR4与DDR5在设计难度、IP积累及客户验证方面要求更高,转换需时间沉淀。该业务毛利率为38.89%,低于行业均值。
兆易创新业务结构与规则拆解
兆易创新未依赖单一行业贝塔,通过三条业务线构建壁垒。其营收规模不及头部模组厂,但盈利质量与毛利率水平在行业内居首,业务逻辑与模组厂存在本质区别。
- 第一条线(NOR闪存与SLC NAND):NOR闪存全球市占率约20%排第二,SLC NAND国内第一。国际大厂产能向3D NAND与HBM倾斜,空出2D NAND市场。上半年NOR闪存价格翻倍,SLC NAND涨幅超130%。产品已导入英伟达A100服务器,DDR5内存通过英伟达认证。
- 第二条线(DRAM):产能由长鑫科技供应。兆易创新持有长鑫科技1.8%股份,董事长朱一明兼任长鑫董事长,享产能优先保障。今年向长鑫采购57亿元,为去年5倍,DRAM收入占三分之一。长鑫一季度营收508亿元,已获科创板IPO批文。兆易DDR4已在电视与工业领域批量应用,LPDDR4下半年量产。
- 第三条线(MCU与车规芯片):微控制器覆盖700多款,车规级已量产获车企订单。近期发布满足AEC-Q100标准的基础芯片,该业务不受存储涨价周期扰动,侧重长期稳定收益。
车规芯片的准入流程包含长周期验证与长生命周期绑定两个阶段。企业需完成三至五年的技术验证方可上车,通过后随整车销售周期可达十年,客户替换意愿低,形成稳定的现金流补充。
从产业链利润分配逻辑来看,分销与模组企业依赖价格波动获取库存差价与加工溢价,现金流呈现周期性净流出特征;具备自主产品线且实现品类跨代升级的企业,能够在价格拐点中维持更平稳的盈利结构。存储芯片市场的分化格局,将随产品迭代节奏与客户验证进度持续演变。

兆易创新获机构密集上调目标价 存储行业预计2028年规模达1.7万亿美元
多家国际投行近期密集上调兆易创新目标价。存储行业正处于向AI基础设施转型的超级周期,预计2028年全球市场规模将触及1.7万亿美元。
供需缺口与价格走势
摩根大通将本轮周期定性为“更高、更长”的超级周期,存储资产属性正由传统大宗商品转向AI基础设施。价格端信号已明确释放,杰富瑞预计2026年第三季度存储芯片价格环比上涨40%至50%。
第四季度涨幅预期为30%至40%,且涨价趋势预计贯穿2027年。高盛判断2027年供需紧张程度将超过2026年,紧缺格局延续至2028年。
若不计中国厂商产能,2026年全球存储位元供给仅增长7%至8%,DRAM和NAND合计供应缺口或达每月15万至20万片晶圆。
利基存储领域景气度同步走高。TrendForce数据显示,2026年上半年NOR Flash合约价涨幅达100%至120%,SLC NAND达130%至150%。下半年仍具备60%至75%的上涨空间。
机构定价分歧与共识
里昂证券将兆易创新H股目标价大幅上调至1254港元,2026年净利润预测同步上调49%至122亿元。摩根士丹利在2025年1月至今已完成五次目标价上调,区间由130元升至585元。
国内机构态度偏积极,近6个月内共有18家给出“买入”评级,5家给予“增持”评级。不过分析师之间存在定价分歧,9位分析师12个月平均目标价约450元,最高达643.7元,最低为239元。
- 共识方向明确向上,分歧集中于涨幅幅度。
- 机构普遍将2026年至2028年视为NAND供需缺口维持期,缺口比例预计在36%至47%之间。
周期预警与行业定位
兆易创新于6月18日发布公告提示行业风险。公司指出存储行业历史上呈现显著周期性波动,供给与需求终将走向再平衡。预计2027年后随着利基DRAM产能边际增加,价格可能进入高位震荡阶段。
“不计中国厂商产能”的统计口径显示,国内产能在全球供给测算中权重显著。若纳入国内实际产出,整体供应增速可能高于7%至8%的预测值。供需错配将直接推升相关企业业绩预期。
国内存储芯片设计领域最具竞争力的选手定位并无争议,但具体到投资周期的把握与幅度预期,仍需结合企业自身的产能指引与市场再平衡节点进行独立判断。
