台积电：今年全球半导体市场预计突破1万亿美元，2026年计划新建9座厂区

6月25日，台积电在上海国际会议中心举办“2026年中国技术论坛”（闭门会），面向客户和合作伙伴分享最新技术研发进展与行业洞察。台积电预计，全球半导体市场将在今年突破1万亿美元，并在2030年达到1.5万亿美元。

产业需求构成与产能扩张

台积电认为，需求主要来自高性能计算（HPC）和AI领域，占整体市场的55%；其次，智能手机需求约占20%，汽车与物联网需求各占约10%。为满足客户需求，台积电计划持续加快扩产。从2017年至2024年，台积电平均每年建设4座新晶圆厂，2026年则计划新建9座厂区。

台积电表示，2022年至2026年，客户对AI加速器的需求量增长了11倍，对大晶粒芯片晶圆需求增长6倍。

先进制程：N2已量产，A16瞄准2026年下半年

在先进制程方面，台积电N2（2纳米）已于2025年第四季度进入量产。N2P按计划于2026年下半年投入量产；搭载超级电轨的A16预计于2026年下半年生产就绪；N2X与N2U将分别于2027年和2028年量产。晶体管架构方面，台积电正从FinFET迈向纳米片结构，并展示全球最小的可运行6TSRAM存储单元，相比传统纳米片设计占用面积缩小约30%。

先进封装：CoWoS 5.5倍光罩尺寸已量产，良率超98%

CoWoS先进封装技术被视为AI训练和推理的关键推动力。今年，台积电宣布全球最大的5.5倍光罩尺寸CoWoS已进入量产，良率超过98%。未来五年，CoWoS技术将逐年迭代并扩大尺寸：可整合20个HBM的14倍光罩尺寸CoWoS将于2028年量产；可整合24个HBM、超过14倍光罩尺寸的版本预计于2029年准备就绪。

在系统级晶圆异构集成技术上，台积电的SoW技术可将中介层尺寸扩展至超过40倍光罩尺寸，支持多达64个HBM和16个运算芯片。其中SoW-P自2024年起量产，更先进的SoW-X预计于2029年就绪。相比2.5D互连的CoWoS，具备3D互连的SoIC技术可提供56倍互连密度和5倍功耗效率，计划于2028年实现6μm键合间距的N2对N2堆叠量产。

三大核心信息：AI泡沫论遭破除，产业链受益明确

半导体业内人士认为，台积电本次技术论坛传递三方面关键信息。其一，AI需求增长更快，台积电原有扩产步伐已不足以满足市场，2026年至2028年N2/A16先进工艺产能年复合增速达70%。其二，先进封装是未来5-10年核心增长赛道，CoWoS、SoIC先进封装产能2022年至2027年年复合增速超80%。其三，半导体设备与材料商率先受益于扩产——先进制程扩张带动前道八大设备商，先进封装则涵盖玻璃基板处理、光阻涂布、曝光等九大环节的相关设备与材料商。

市场调研机构Yole分析师赵灿此前在演讲中表示，2025年全球先进封装市场规模为540亿美元，预计到2031年增长至1090亿美元，2.5D/3D封装将成为增长主力。