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宏微科技与国电投核力创芯共建联合实验室，聚焦功率半导体器件技术攻关

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宏微科技与国电投核力创芯共建联合实验室，聚焦功率半导体器件技术攻关 第1张

2026年6月25日，宏微科技与国家电投旗下国电投核力创芯（无锡）科技有限公司（简称“核力创芯”）正式签署战略合作协议。双方共同揭牌成立“功率半导体离子注入工程技术及器件研发联合实验室”。

合作聚焦高能离子注入技术产业化应用

根据协议内容，双方将共同攻克高能离子注入在功率半导体器件中的产业化应用难题。该项技术的突破将全面提升IGBT、FRD等芯片产品的核心性能。

“此次技术合作将强化宏微科技在AI数据中心（AIDC）供配电领域的产品竞争力。”——宏微科技官方消息

参与主体简介

核力创芯是国家电投集团旗下的科技企业，专注于离子注入及相关技术研发。IGBT、FRD属于功率半导体器件，前者为绝缘栅双极型晶体管，后者为快恢复二极管，均广泛应用于电能转换与控制系统。

合作对下游市场的影响

从合作表述来看，本次技术攻关直接瞄准AI数据中心供配电场景。随着数据中心算力密度提升，其对供配电系统的功率密度和可靠性要求也同步提高，功率器件性能的改进将成为行业竞争力提升的关键支撑点。

  • 联合实验室将聚焦高能离子注入技术，该技术直接影响芯片载流子浓度控制与结深精度。
  • 芯片性能提升的具体路径包括降低导通压降、提升开关速度与可靠性等。
  • 合作成果预计将首先应用于宏微科技面向AIDC市场的产品线。
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