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三星电子与SK海力士提前半导体工厂竣工计划

摸鱼不慌
摸鱼不慌

7月3日,韩国媒体报道称,三星电子及SK海力士计划显著提前平泽工厂与龙仁半导体产业集群的竣工时间,此举可能触发半导体设备行业订单规模的短期快速扩张。

工厂竣工时间节点变化

两大韩国半导体企业调整原定竣工计划,具体提前的时间节点未在原文中明确说明。

对设备市场的预期影响

根据报道,工厂提前竣工将带动相关半导体设备厂商订单规模迅速扩大。

“外界由此预测,各大半导体设备厂商的订单规模也将在短期内快速扩张。”

专业术语解释

半导体产业集群:指在同一区域内集中布局的半导体制造厂及相关配套企业,旨在实现资源共享与效率提升。

背景说明

三星电子与SK海力士作为韩国半导体行业的重要参与者,其资本开支计划通常会对上下游供应链产生直接带动效应。

三星电子与SK海力士提前半导体工厂竣工计划  第1张

三星与SK海力士与政府达成投资协议,加速韩国半导体产能扩张

据CNMO科技消息,三星电子与SK海力士近期与韩国政府达成协议,将调整设备投资时间表。两家企业将同时推进西南区域全新半导体集群建设,并加紧完成京畿道平泽、龙仁工厂的扩产项目。

政府要求加速高端DRAM产能增长

政府要求三星与SK海力士大幅缩短京畿道扩产项目的建设周期,力争在5年内将高端DRAM产能提升至现有水平的两倍。

“两家企业需要在推进新项目的同时,加快现有工厂的竣工进度。”政府相关要求在协议中被明确提出。
  • 新协议要求企业缩短京畿道工厂的建设时间
  • 高端DRAM产能目标为5年内翻倍
  • 西南区域半导体集群建设将同时进行

业内人士指出,此举旨在通过政策协调加速韩国半导体产能扩张,满足全球内存市场需求。项目进展将直接影响国内供应链布局。 三星电子与SK海力士提前半导体工厂竣工计划  第2张

韩国两大半导体巨头加速建设投产计划

SK海力士与三星电子将同时压缩主要半导体产线的建设周期,加快投资节奏。

SK海力士:龙仁产线提前完工并扩大投资规模

SK海力士原计划于2045年完工的龙仁半导体集群建设工期直接提前12年,计划在2033年前完成第四座晶圆厂建设。公司将分阶段投产配套生产设备,龙仁集群整体总投资额将达600万亿韩元。

晶圆厂是指用于生产半导体芯片的工厂,其内部设有大片半导体晶圆的生产设备。

三星电子:平泽产线改为同步施工

三星电子同样调整了平泽半导体产线的建设计划。此前行业预估,今年下半年平泽5厂(P5)一期主体工程动工,明年下半年正式投产;但三星电子调整建设方案,不再分批次先后修建P5与P5 Fab2,改为同步施工压缩工期。

同时,原定于2047年竣工的龙仁国家产业园区,建设周期缩短7年,计划2040年前全部完工。

  1. SK海力士通过提前建设周期,将显著增强其全球半导体产能布局的灵活性。
  2. 三星电子的同步施工方案有望缩短整体项目交付时间,提高投资效率。
三星电子与SK海力士提前半导体工厂竣工计划  第3张

三星电子投资布局HBM高端DRAM产线设备企业订单将增

三星电子日前宣布,将提前落实投资计划,重点搭建高带宽内存(HBM)所需的高端DRAM产线。根据公告,相关设备企业预计将率先迎来订单增长。

产线建设聚焦HBM需求

三星电子计划在P5与P5 Fab2产线中全面打造适配HBM4、HBM4E的1c制程DRAM专属产线。此外,该产线还可灵活切换至明年年末量产的10纳米级第七代(1d)DRAM工艺。据披露,1d DRAM将用于第九代HBM5E芯片的制造过程。

高端存储技术解析

高带宽内存(HBM)是一种采用硅通孔技术(TSV)实现三维堆叠的高性能存储解决方案,主要用于满足人工智能和云计算等领域对带宽的极高要求。

本次投资涉及的1c制程和1d制程均属于半导体制造技术术语,其中1c制程指当前量产的先进工艺节点,1d则是更新的制程代际。

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