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美光CEO：DRAM与NAND闪存供需紧张格局预计持续至2027年之后

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美光科技首席执行官桑杰·梅赫罗特拉（Sanjay Mehrotra）于美东时间周三盘后举行的公司财报电话会上作出最新行业预判。他表示，当前DRAM与NAND闪存市场呈现需求持续大幅高于供给的局面，且这一态势有望延续至2027自然年之后。

供需紧张背后的双重驱动因素

梅赫罗特拉将供需失衡归因于两方面：一是覆盖全产业链的人工智能需求持续攀升，对存储芯片形成结构性拉动；二是供给端受到产能布局与工艺升级等约束，短期内难以大幅释放新增产能。二者叠加，使行业维持“供不应求”格局。

“受全产业链人工智能需求叠加供给端结构性约束影响，我们预计供需紧张格局将持续至2027自然年之后。”——美光CEO桑杰·梅赫罗特拉

关键产品释义

  • DRAM：动态随机存取存储器，是计算机及服务器等设备中用于临时存储数据的主要内存芯片，其读写速度直接影响AI训练与推理任务的执行效率。
  • NAND闪存：非易失性存储芯片，用于固态硬盘（SSD）及移动设备中的长期数据存储，是AI数据中心海量数据存取的基础硬件。

从产业链逻辑看，AI大模型训练与推理需要高带宽内存（HBM）及大容量NAND闪存支持，而芯片制造产能的扩张周期通常需要18至24个月，使现有供给难以匹配需求增速。

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