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英诺赛科：德国法院裁决现有GaN产品未侵权英飞凌专利

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英诺赛科：德国法院裁决现有GaN产品未侵权英飞凌专利 第1张

6月19日，英诺赛科宣布，根据慕尼黑地区法院于17日作出的两项裁决，该公司当前销售的氮化镓（GaN）功率器件产品不落入英飞凌主张的德国专利保护范围，因此在德国不受限制。

德国法院裁决与ITC裁定高度一致

上述裁决与美国国际贸易委员会（ITC）上月作出的全体一致裁决高度一致。ITC已认定英诺赛科现有产品未侵犯英飞凌主张的一项涉及封装设计的美国专利（美国第9,899,481号专利）。慕尼黑地区法院此次审理的正是该专利的德国同族专利，包括一项发明专利和一项实用新型。

“慕尼黑法院仅认定小部分历史产品——即某些额定电压为650V至700V的封装晶体管产品——构成侵权，而这些产品此前已退出市场。”

现有产品不受禁令影响

与ITC的结论一致，慕尼黑法院仅认定小部分历史产品构成侵权。据了解，这些历史产品指额定电压为650V至700V的封装晶体管，且已退出市场。因此，相关禁令不涉及现有产品。

英诺赛科表示，这一裁决对公司在德国的经营及客户对相关产品的使用不产生任何实质性影响。

  • 涉及产品范围：仅特定电压的封装晶体管历史产品被认定侵权，与现有产品无关。
  • 地域一致性：德国法院与美国ITC均认定英诺赛科现有GaN功率器件未侵害核心专利。

（文章来源：人民财讯）

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